Von Neumann Entropy of an Electron in One-Dimensional Determined Potentials

By using the measure of von Neumann entropy, we numerically investigate quantum entanglement of an electron moving in the one-dimensional Harper model and in the one-dimensional slowly varying potential model. The delocalized and localized eigenstates can be distinguished by von Neumann entropy of the individual eigenstates.There are drastic decreases in von Neumann entropy of the individual eigenstates at mobility edges. In the curve of the spectrum averaged von Neumann entropy as a function of potential parameter λ, a sharp transition exists at the metal-insulator transition point λc = 2. It is found that the von Neumann entropy is a good quantity to reflect localization and metal-insulator transition.     

Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10~(-5)V_B~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10～100     

A Compact Magnetically Insulated Line Oscillator with New-Type Beam Dump

We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results.     

基于I2C总线的ADS1100型16位模/数转换器

ADS1100是采用2．7v～5．5V单电源供电的连续自校准模／数（A／D）转换器。它具有分辨率高、接口简单、比例放大、功耗低、体积小等优点。ADS1100采用电源电压为基准电压，可按比例进行A／D转换，同时带有差分输入且具有高达16位的分辨率。     

S盒设计中的一种新准则

本文提出了强扩散准则,强雪崩效应以及扩散效应的逼近优势等相关概念,给出了差分均匀性与强k阶扩散准则之间的相互关系,利用给出的设计准则改进了Rijndael密码的S盒。     

精简移动GPS和PMP等设计的电源管理芯片

AAT2603的在4mm&#215;4mmTDFN封装内集成T6种电源功能，包括两个降压转换器和4个LDO，每个都带有独立控制管脚。其输入电压是2．7～5．5V，为整个负载范围提供高效供电。     

基于单片机的节电照明控制系统

本文以AT89C52单片机为核心研制了一台新型的节电照明控制系统，给出了系统的工作原理、硬件结构和软件流程。实际使用证明，该控制系统可使日光灯在电压波动范围较大的情况下，使其处于较佳运行状态，节电效果明显，具有优良的控制效果。     

单片同步降压型转换器LTC3416

许多微处理器和数字信号处理器(DSP)需要一个核心电源和一个在启动期间必须进行排序的输入／输出(I／O)电源。如果未经过适当的电源排序，可能发生闭锁或过流，从而损害微处理器的I／O端口或诸如存储器、逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或数据转换器之类支持设备的I／O端口。为了确保在主电源电压未被适当偏置之前I／O负载不被驱动，对核心电源电压和I／O电源电压进行跟踪是必要的。     

一种高精度的CMOS带隙基准电压源

设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.     

SoC低功耗设计中的DVS技术

随着系统芯片(SoC)集成更多的功能并采用更先进的工艺,它所面临的高性能与低功耗的矛盾越来越突出.动态电压调整(DVS)技术可以在不影响处理器性能的前提下,通过性能预测软件根据处理器的繁忙程度调整处理器的工作电压和工作频率,达到降低芯片功耗的目的.文中讨论了DVS技术降低功耗的可能性,介绍了如何利用两种不同的DVS技术让处理器根据当前的工作负荷运行在不同的性能水平上,以节省不必要的功耗.