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新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
12.
金文中 《内蒙古广播与电视技术》2006,23(1):37-42
电路分析中常用的定律和定理(中) 5等效电源定理 常见电源有两类,一类是电压源,一类是电流源,分别如图6-(1)和6-(2)所示。电压源中有恒定的电动势E和内阻r,当其内阻r=0时,称理想电压源。因其内阻为零,根据全回路欧姆定律,无论外接负载大小,它供出的电流怎样变化,其内阻都不会产生压降,所以其输出电压永远是恒定的,为此也称之为“恒压源”。 相似文献
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通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。 相似文献
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以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
16.
本文回顾了近年来在电压源逆变器供电的感应电机系统中采用的直接转矩控制(DTC)技术。阐述了以下几种控制方案,基于开关矢量的DTC(ST-DTC),转矩直接自控制(DSC),恒开关频率空间矢量调制DTC(DTC-SVM)。同时,本文也介绍了基于神经模糊逻辑控制器的这种最新技术的DTC-SVM。文中给出了一些波形图来说胆这些控制特性。 相似文献
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