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从理论上探讨了磁阻率效应,叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达0.01°,通过可靠性寿命试验,传感器的失效率λ(t)<1×10-7/h。 相似文献
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1 Introduction For increasing the output energy of laser, the pumping power must be enhanced. But the cooperative effect will arise and cause spontaneous radiation light in laser medium sample when the pumping power is high e- nough without the resonator. The spontaneous radiation light is coherent light between laser and fluorescent. It will compete the upper energy level population with ex- cited radiation, and the loss increase. In solid laser medium, such as Nd∶YAG, the Nd ion densityi… 相似文献
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本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积,提高电路布线的灵活性,并已应用于12GHz低噪声放大器GaAs单片电路,取得了良好效果。本文也给出了这种器件寄生效应的分析模型,并计算讨论了栅靶、空气桥以及接地块等寄生元件对器件的散射参数和噪声参数的影响。 相似文献
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延迟和相关效应对Ne原子2p53s1,3P10-2p6 1S0跃迁的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,系统地研究了延迟和相关效应对中性Ne原子2p53s1,3P01-2p61S0电偶极共振和复合跃迁的能量以及跃迁几率(寿命)的影响,给出了相应的跃迁能和辐射寿命,并与最新的实验观测和其他理论计算结果进行了比较. 相似文献
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研究了q变形湮没算符高次幂(αq^k,κ≥3)本征态的反聚束效应,并就κ=3的情况用数值计算方法研究了q变形参数对该效应的影响。结果表明,当q变形相干态中谐振子的强度x=|z|^2在某些区间内取值时,αq^k的本征态将呈现反聚束效应,并且这一效应明显地受到q参数的影响。当参数q取定时,随着q变形光场强度的变大,该光场的光子数涨落在经典(或量子)和量子(或经典)特性之间交替地变化。 相似文献
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利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰
强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的. 相似文献