结合先进封装与最新MOSFET技术可满足未来电源供应需求

硅芯片（silicon）及封装技术的进展使得尺寸缩小的产品需要更多的电量,DualCoolTM NexFETTM电源MOSFET结合新一代硅产品技术与能够在标准体积尺寸中达到上端降温（topside cooling）效果的封装,这些技术的结合使得效率、功率密度（power density）及可靠度达到新境界,本文将着重在效能优点方面说明这些新技术。     

Vishay推出其最小的IHLP器件

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用1212外形尺寸的新款IHLP小尺寸、高电流电感器---IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0mmx3.6mm的占位、     

最新第三代MOSFET功率模块兼顾尺寸和效率

通过优化芯片工艺和封装技术,最新第三代MOSFET功率模块实现了更高的效率、开关频率和功率密度,满足了服务器和基站等低压MOSFET应用市场的需求。     

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.     

大尺寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石（Gd3Ga5O12）单晶的生长研究

随着光纤通讯产业的迅猛发展,市场对3英寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石（分子式为Gd3Ga5O12,简称GGG）的需求量急剧增加。本文从磁光薄膜（YIG以及类YIG）对其外延基底单晶GGG物化性能的要求出发,综述了在利用传统的提拉法生长大尺寸、符合磁光薄膜衬底要求的Gd3Ga5O12单晶的过程中,出现的诸如Ga2O3组分挥发,界面翻转,螺旋生长和晶体的开裂等问题,针对各个问题讨论了它们的形成机制并提出了它们的解决方法。最后,还根据目前磁光膜的发展情况,预见了纯GGG和掺质GGG单晶的研究和发展趋势。     

Size-dependent thermal stresses in the core–shell nanoparticles

The thermal stress in a magnetic core–shell nanoparticle during a thermal process is an important parameter to be known and controlled in the magnetization process of the core–shell system. In this paper we analyze the stress that appears in a core–shell nanoparticle subjected to a cooling process. The external surface temperature of the system, considered in equilibrium at room temperature, is instantly reduced to a target temperature. The thermal evolution of the system in time and the induced stress are studied using an analytical model based on a time-dependent heat conduction equation and a differential displacement equation in the formalism of elastic displacements. The source of internal stress is the difference in contraction between core and shell materials due to the temperature change. The thermal stress decreases in time and is minimized when the system reaches the thermal equilibrium. The radial and azimuthal stress components depend on system geometry, material properties, and initial and final temperatures. The magnitude of the stress changes the magnetic state of the core–shell system. For some materials, the values of the thermal stresses are larger than their specific elastic limits and the materials begin to deform plastically in the cooling process. The presence of the induced anisotropy due to the plastic deformation modifies the magnetic domain structure and the magnetic behavior of the system.     

一种工业CT测量精度评估方法

为了验证工业CT系统对检测件的测量精度,设计了一套评估方法,针对由国家X射线数字化成像仪器中心自主研发的9 MeV 高能工业CT系统和450 kV工业CT系统,设计制作了标准测量试块,以三坐标测量机为辅助测量手段,对CT图像的线性尺寸、球面尺寸、角度尺寸、孔径尺寸和定位尺寸等进行对比测量,得到不同尺寸类型的测量误差。在不考虑尺寸类型的影响下,分别对铝、不锈钢和尼龙三种材料做了CT测量误差对比,结果表明,对于这三种材料来说,材料密度越大测量精度越高。实验结果表明,可验证工业CT系统对不同类型尺寸测量的精度,工业CT系统可完成精度较高的尺寸测量工作,特别对复杂结构的内部尺寸测量有一定的优势。     

弹体侵彻混凝土靶体的尺寸效应分析

由于混凝土靶体抗刚性弹侵彻实验大多基于缩比弹体展开,侵彻深度相似律是否成立显得尤为重要。在侵彻相似模型基础上,综合分析已有侵彻实验数据及经验公式,发现侵彻深度在通常情况下存在尺寸效应,且无量纲侵彻深度随弹体尺寸变大而增大。但如果模型以及原型实验中弹体与混凝土靶体（包括粗骨料）严格等比例设计,侵彻深度相似律是成立的。不变的骨料特征（粗骨料未随弹体尺寸缩放）是引起侵彻实验以及侵彻经验公式中尺寸效应的主要原因。为研究由粗骨料引起的侵彻尺寸效应,开发了混凝土二维细观有限元建模程序,细观数值实验成功地反映出了侵彻尺寸效应,考虑模拟尺寸效应后的侵彻公式能较好地预测不同尺寸侵彻实验。     

花岗岩晶粒尺寸对岩爆影响的试验研究

为探究晶粒尺寸对硬脆性岩石岩爆的影响,利用真三轴岩爆试验系统,对细中、中粗两种不同晶粒尺寸的含预制圆孔花岗岩开展了岩爆模拟试验。试验结果表明:在相同的加载过程中,细中晶粒花岗岩出现板裂静态脆性破坏,而中粗晶粒花岗岩出现岩爆动力破坏;细中晶粒花岗岩早期声发射活动较弱,大破裂、低主频事件在时空分布上较集中,特征应力较大,而中粗晶粒花岗岩早期声发射活动较活跃,大破裂、低主频事件在时空分布上较离散,特征应力较小,碎屑破碎程度更高。晶粒尺寸对花岗岩的岩爆倾向性具有重要影响,晶粒尺寸较大的硬脆性岩石的岩爆倾向性更强。深部地下岩体工程的岩爆倾向性评价中,除强度和脆性外,晶粒尺寸也是需要考虑的重要因素。