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本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。 相似文献
135.
扼要地分析了现代信号处理器件ＣＣＤ的基本原理、技术特点和电学特性，并在此基础上提出了ＣＣＤ器件的电路模型，为ＣＣＤ器件设计、应用提供了一种较为简便的分析计算方法。 相似文献
136.
光导器件及其背景限探测度 总被引：1，自引：0，他引：1
本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。 相似文献
137.
激光对CCD器件破坏时几种阈值的测量 总被引：11，自引：1，他引：10
本文简要回顾了近十年来激光CVD(LCVD)技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性,同时也可利用其高精度的膜厚控制特性获得新结构的材料和器件。作者还对该技术的广泛的应用前景予以展望和肯定。 相似文献
138.
设计并研制成功了实用型５ＧＨｚ带宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器，介绍了限制探测器响应速度的主要因素，微波封装的理论依据，以及所研制器件频率响应的测试结果。 相似文献
139.
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果，从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验研究取得了重要的进展。 相似文献
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