导电聚苯胺线膜修饰ZnO纳米棒阵列的可控制备及其紫外探测性能

基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚合法在ZnO-NRs表面上修饰p型聚苯胺线膜(PANI-NWs),再组装成ZnO-NRs与ZnO-NRs/PANI-NWs紫外探测器.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫...     

基于电学法的GaN功率器件热阻测试研究

针对功率器件的热阻测试需求,开展了基于电学法的Ga N器件热阻测试方法研究。分别采用Vgs和Vds温敏参数进行电学法测试对比,分析了其温敏特性差异、测试电流、及加热电流对热阻测试结果的影响,通过集成电学法与红外法测试系统对热阻测试结果进行了对比,验证了两种测试结果的可信性。测试结果表明,Vgs和Vds呈现不同趋势的线性温度特性,电压Vds对于温度的响应显著低于Vgs,且热敏参数的选择是影响Ga N功率器件热阻测试结果的主要原因。     

一种融合Gabor滤波与3D/2D卷积的高光谱图像分类算法

为了减轻卷积神经网络模型对训练样本的依赖性和提高高光谱图像的分类性能,本文提出了一种融合Gabor滤波与3D/2D卷积的高光谱图像分类算法.首先,三维Gabor滤波器用于处理原始高光谱数据以生成空谱隧道信息;其次,利用三维卷积操作提取生成的空谱隧道信息的深层特征;然后,再利用二维卷积进一步提取图像的空间信息;最后,通过...     

SiC功率器件辐照效应研究进展

SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件（SiC SBD、 SiC JBS、 SiC MOSFET）在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考。     

地铁场景多形态5G覆盖优化解决方案

随着城市的发展,地铁作为运量大、时间准的城市公共交通设施,成为了城市重要的连接纽带和城市名片.本文通过理论联系实践,围绕新一代地铁5G 4T4R技术开展研究,基于泄漏电缆传递信号均匀的特点,提出了地铁轨道内5G 4T4R全覆盖优化方案,最大化提升4G/5G资源效能,快速形成地铁通信网5G覆盖优势,通过地铁的5G覆盖应用...     

InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析

根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.     

热红外探测器列阵及其制备方法

美国专利US6483111 (2002年11月19日公布) 红外探测器列阵不仅能获取人眼看不见的物体图像,而且还能以非接触方式测量位于远处的物体的温度。红外探测器列阵在工业和医学领域具有广泛的用途,例如,它可以用来对生产线进行测量和控制,对人     

未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-x Gex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-x Gex.俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18％,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82 Ge0.18.随即在n-poly-Si0.82 Ge0.18薄...     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

有机薄膜太阳电池的研究进展

有机薄膜太阳电池作为一种新型光伏电池,近年来得到了迅猛发展。其制备工艺简单、价格低廉、柔性、质轻,为人类解决能源问题提供了一种崭新的途径。文章综述了近年来有机薄膜太阳电池的发展状况,结合有机薄膜太阳电池的发展历史,分析了单异质结、体异质结和叠层三种典型结构器件的工作原理和研究成果,探讨了各种器件结构的优缺点,并对有机薄膜太阳电池的发展趋势作了展望。