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本文论述了IPSec VPN技术的工作原理与特点,并根据北京通信专线用户和IDC用户的业务需要,详细讨论了IPSec VPN业务模式,解决方案和经营设想。 相似文献
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根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入(PIII)和反冲离子注入等。 相似文献
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通过阳极氧化电压谱图(AVS),I-V特性和Fiske台阶电压测量,我们研究了Nb超导量子结构中AlOx-Al厚度对其特性的影响。发现AVS中AlOx-Al与Nb电极之间的界面陡度和I-V特性取决于AlOx-Al厚度,Nb|AlOx-Al|Nb结的最小最佳沉积Al层厚度为7nm。 相似文献
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本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用. 相似文献
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Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料. 相似文献