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PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。 相似文献
14.
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
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精细功能陶瓷的若干发展趋势 总被引:5,自引:1,他引:4
概括了分析自90年代初以来精细功能陶瓷的发展趋势,提出了一些相关的研究领域。 相似文献
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玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光 总被引:4,自引:0,他引:4
系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系. 相似文献
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采用X射线荧光、X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等分析方法 ,通过对微波管陶瓷材料的理化分析 ,对俄罗斯陶瓷及其金属化技术进行了研究 ,并对化学成分和显微结构对性能的影响作了初步的讨论。 相似文献
20.
介绍一种叠层式压电陶瓷降压型变压器的基本结构,工作原理,等效电路以及实验测度与等效计算的结果,介绍这种压电变压器用于高频开关电源产品的工作状态测试结果;叠层式降压型压电陶瓷变压器用于高频电源的优点及宽广的应用领域。 相似文献