CeO2添加剂对等离子ZrO2涂层抗热震性的影响

在ZrO2陶瓷涂层中加入适量的CeO2，使陶瓷涂层的抗热震性能得到提高，这主要是由于CeO2的加入，涂层的微小孔隙增加、涂层产生细微的网状裂纹，增加了微裂纹密度，从而降低了徐层的弹性模量，释放了涂层中的应力，提高了涂层的裂纹失稳扩展时的临界温差ΔTc，并可阻止裂纹沿单方向的快速扩展，使涂层的抗热震起裂性能和抗热震失效能力得到提高。其中，CeO2加入量为9％效果最佳，过量加入CeO2，会过早地促进裂纹的扩展、断裂，不利于提高涂层的抗热震性能。     

溶胶-凝胶法制备(Ca1-xMgx)SiO3陶瓷及其微波介电性能

以硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯为先驱体, 利用溶胶-凝胶法合成(Ca1-xMgx)SiO3(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5)陶瓷粉体, 研究了Mg2+取代Ca2+对陶瓷物相组成、烧结特性以及微波介电性能的影响规律. 结果表明, Mg2+在CaSiO3中的最大固溶度不超过0.2；随着Mg2+对Ca2+取代量的增加, 陶瓷在烧结后的主晶相出现从CaSiO3相向CaMgSi2O6相的转变,陶瓷的烧结特性及介电性能出现先增加后下降的趋势；当x=0.3 时, 陶瓷体中CaSiO3相与CaMgSi2O6相共存, 克服了单相CaSiO3或CaMgSi2O6易成片长大的缺点,有效减少了陶瓷中残留的气孔, 提高烧结体致密性. (Ca0.7Mg0.3)SiO3在1320 益烧结后介电常数为6.62, 品质因数为36962 GHz.     

环氧／BaTiO3复合物埋入电容膜与电容膏

概述了环氧／BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏的开发，它们适用于PCB之类的有机基材内制造具有高介质常数和低误差的埋入电容。     

掺溴聚-4-甲基-1-戊烯的合成研究

 液溴与聚-4-甲基-1-戊烯（PMP）的四氯化碳溶液反应，在光照条件下得到溴代PMP，通过红外与元素分析确证了其结构。并通过热重分析对其性能进行了初步的研究。研究发现，在光照条件下溴原子很容易与PMP中叔丁基上的氢原子发生取代反应，得到化学掺杂溴原子的聚合物。该聚合物在150℃以下比较稳定，在150℃以上就会失去HBr。采用此种方法，可得到掺杂均匀的低密度材料。     

一种低损耗LTCC威尔金森功分器设计

设计了一种低损耗LTCC威尔金森功分器。采用低温共烧陶瓷技术,达到器件小型化设计的目的。利用交叉叠层的方法,减小了两路电路自身的寄生电容从而减小了功分器的插入损耗。为了验证该设计的可行性,采用这种结构设计制作通带为1 425~1 900 MHz的威尔金森功分器,加工后测得其插入损耗小于–3.25 d B,尺寸仅为3.2mm×1.6 mm×0.9 mm。     

层叠Blumlein线多开关导通时间分散性

高介电常数陶瓷储能脉冲形成线需要用到多开关触发的层叠Blumlein线结构。从形成线波过程理论出发，分析了多开关导通时间分散性对层叠Blumlein线及其输出波形的影响。主要包括两方面影响:其一是造成输出方波脉冲的前沿和后沿均出现阶梯形畸变；其二是使得各延迟导通的平行平板Blumlein线承受过电压，容易引起陶瓷储能介质的电击穿。在不单独考虑开关电感的理想情况下，利用PSpice电路程序模拟了开关导通时间分散性对四级层叠Blumlein线的影响，模拟结果与波过程理论分析一致。为减弱这些影响，提出了可行的解决方案。     

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陶瓷基交指微带带通滤波器的设计

设计制作了一款小型化、温度稳定性高的交指微带带通滤波器。该滤波器选择高相对介电常数的Mg_xZn_yCa_zLa_uTiO_3陶瓷材料做基板(ε_r=25,tanδ=0.000 01,τ_f=0/℃,基板厚度0.381 mm),利用HFSS仿真软件,对该滤波器在3.92~4.52 GHz通带内进行了仿真。仿真结果显示,该滤波器中心频率为4.2 GHz,相对带宽14%,带内插损小,带外抑制良好。按照仿真尺寸进行实物加工并测试,实测结果与仿真吻合良好。     

射频板条CO2激光器整形光路自适应调节研究

为了解决射频板条CO2激光器因安装或腔镜热畸变造成的光路偏移问题,采用外光路偏移补偿的方法对其进行校正。研究了基于压电陶瓷的偏移补偿装置,设计了压电陶瓷驱动电路,并分析了控制精度和自适应控制方法。结果表明,通过偏移补偿装置,激光输出功率在任何占空比下均可达到或超过标准参考功率值,并通过对比有无自适应调节,激光输出功率最大相差100W,且可保持激光输出功率在2h运行中波动小于2%。此项研究可保证激光器高效运行,提高激光器的输出功率和模式的稳定性,具有较大的实用价值。     

脉冲功率电容器用PbLa(ZrTi)O_3陶瓷性能研究

采用固相反应法制备了Pb0.96La0.06(Zr1-xTix)O3陶瓷,研究了Ti含量对所制陶瓷的电性能和储能特性的影响。结果表明,PbLa(ZrTi)O3陶瓷介电常数与电场强度呈非线性变化关系。当Ti含量x为0.08时,所测电滞回线细长狭窄,并呈下凹趋势,此时极化强度为22.18×10–6 C/cm2,储能密度为1.06 J/cm3。通过流延法制备的脉冲功率电容器击穿电压可大幅度提升,储能密度达1.95 J/cm3,具有高能量转换效率。