新型陶瓷气密低损耗U波段波导窗设计

本文设计出一种应用于U波段的小型化、低插损、高气密性的毫米波波导窗传输结构,它采用完全无吸水率的陶瓷基片作为介质窗材料,首次在采用高介电常数介质情况下,实现了低损耗、完全气密的波导窗结构。经实物测试验证,其外形尺寸仅为4.3mm*2.9mm*2.05mm;该波导窗在-55℃～+85℃的环境温度下,其射频性能在46～53GHz频段内回波损耗优于15dB,插入损耗小于0.4dB,且其高气密性不产生变化。因此,该低损耗、高气密性的波导窗结构,满足毫米波系统在实际工程应用中对稳定性和可靠性的需求。     

稀土元素及其化合物在超硬磨具中的应用

稀土元素具备较为独特的电子结构和成键特性,是良好的表面活性元素.稀土元素及其化合物能够影响金属材料和陶瓷材料的熔点和晶体结构等.本文介绍了稀土元素及其化合物在金属结合剂和陶瓷结合剂超硬磨具中的应用,从结合剂的改性、磨料的涂覆、两者界面性质的改善三个角度论述了稀土元素及其化合物对金属结合剂和陶瓷结合剂磨具各种性能的影响及...     

MLCC装配质量优化研究

针对本所产品中多层陶瓷电容器(MLCC)在经过环境试验后出现的失效问题,通过对失效原因进行分析,结合生产实际情况,进行了技术改进.制作了技术改进前后的试验板,经过环境试验后测试,结果表明,未改进前的试验板中的MLCC出现问题,而改进后的试验板没有发现问题.最后对故障MLCC进行了DPA检查,结果发现MLCC端头出现45°角裂纹.试验结果表明经过技术改进后有效地解决了MLCC装配质量问题,提高了产品装配合格率,达到了预期的效果.     

LTCC基P波段90°功分器的制作

文章以LTCC基P波段90°功分器的设计和制作为例,从无源设计仿真和LTCC工艺阐述了P波段功分器的研制过程。选用了承受功率大、尺寸相对较小的宽边耦合器结构。设计的宽边耦合器采用多层结构,有利于发挥LTCC基板多层、高集成度等优点。其电路物理模型为Broadside-coupled symmetric stripline（BCL）,采用的介质为LTCC,介电常数为5．9,每层介质厚度为0．1mm,导体采用Ag浆。在实物制作过程中,TOP层和Bottom层是采用灌银通孔实现的。最终测试结果与仿真结果吻合较好,在225MHz～400MHz频段内隔离23dB,插损0．5dB,驻波1．1,相平衡度±2．5,功率250W．     

K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。     

X波段大功率T/R组件

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。     

(Ca,Sr)(Zr,Ti)O_3系抗还原高频介质瓷料的研究

采用固相合成法制备了(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1 037×10–6/℃。     

电控宽带连续调谐外腔半导体激光器

介绍了一种电控调谐的外腔半导体激光器，并对其连续调谐特性进行了理论和实验分析。压电陶瓷（ＰＺＴ）（双晶片）的电扫描角度可达１°，采用适当的外腔结构，靠ＰＺＴ可同时改变外腔腔长和光栅衍射角，实现输出波长的调谐。该器件调谐范围最大可达１５ｎｍ，连续调谐范围（无跳模）为５０ＧＨｚ     

基于LTCC带传输零点的带通滤波器

采用低温共烧陶瓷（LTCC）技术设计了带传输零点的带通滤波器,利用三维叠层结构实现了滤波器的小型化设计,借助HFSS仿真软件对滤波器参数进行优化仿真,改善了滤波器的传输特性,有效压缩了本振信号,满足了该带通滤波器设计指标和小型化的目的。     

压电陶瓷执行器半实物仿真系统研究

为了在压电陶瓷执行器微动控制中获得高精度的同时,实现高响应速度,采用三阶轨迹规划方法设计控制算法。为了对控制算法的性能做出准确评价,采用xPC Target实时内核技术,以高速模拟信号采集卡作为控制/反馈信号的I/O通道,搭建了半实物仿真平台,获得了毫秒量级的伺服周期。实验表明,当伺服周期为1 ms、定位行程为200μm时,三阶轨迹规划算法使压电陶瓷执行器可以在0.5 s内完成精度为±1μm的定位,实现了兼顾高精度与高速度的微动控制。该半实物仿真系统可以有效验证控制算法的性能,为算法的后续移植提供了有益参考。