大功率电视发射栅控管阴极变形的人为控制

本文根据大功率电子管工作时阴极变形的机理分析,讨论了减小阴极变形的人为控制办法,可以大大延长电子管的使用寿命。     

铁电体阴极的发射性能

研究了不同铁电体阴极样品的发射行为表明在同样激励条件下，不同材料的铁电样品发射电流密度有显著差别，在集电极接地情况下，ＰＬＺＴ２／９５／５陶瓷测得的最大发射电流密度为３５Ａ／ｃｍ＿２，透明的ＬｉＮｂＯ＿３单晶为３８Ａ／ｃｍ＿２。样品的击穿阈值是极化难以达到完全翻转的主要障碍。分析了阴极表面金属栅的存在对铁电体发射的不利影响，“Ｅ⊥Ｐ”激励模式是克服这些困难的一个新途径。对两种最近试制的材料作了发射试验，观测到的最大发射电流密度超过了１００Ａ／ｃｍ￣２，估算该发射束的归一化均方根发射度为１０￣（－６）ｍ·ｒａｄ和归一化峰值亮度为１０￣（１２）Ａ／ｍ￣２·ｒａｄ￣２量级。     

单晶LaB6阴极在微波电子枪中的应用

随着自由电子激光器的发展,高亮度微波电子枪越来越受到重视,为满足北京自由电子激光器注入器的要求,高能所进行了国内首台热阴极微波电子枪的实验研究,采用单晶LaB_6做阴极材料。本文描述了在研制过程中所解决的阴极表面处理、夹持、加热等一系列工艺问题,首次采用电子束焊的方法将LaB_6与基金属牢固结合,最后给出实验结果:阴极发射密度可达84A/cm~2,阴极寿命200h,加热灯丝寿命大于500h。     

Spindt阴极电容模型

本文用数值方法，计算了Ｓｐｉｎｄｔ阴极的电容，给出了—族曲线，与实验结果比较接近，对真空微电子微波三极管的设计有一定意义。     

Second Bound State of Biexcitons in Quantum Dots

The second bound state of the biexcitons in a quantum dot,with orbital angular moentum L=1,is reported.BY using the method of few-body physics,the binding energy spectra of the second bound state of a biexciton in a GaAs quantum dot with a parabolic confinement have been calculated as a function of the electron-to-hole mass ratio and the quantum dot size.The fact that the biexcitions have a second bound state may aid in the better understanding of their binding mechanism.     

TE光电阴极制作技术的研究

对ＴＥ光电阴极制作工艺中存在的肖特基结热退化现象以及为了实现ＴＥ阴极器件化，设计了超高真空激活系统和制作工艺流程，并采用ＰＥＣＶＤ－Ｓｉ３Ｎ４绝缘膜和多次蒸银方法彻底消除了热退化现象，从而实现在真空系统内场助电极的原位连接和阴极的激活，为实现ＴＥ光电阴极器件的分离打下基础。     

最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度的研究①

碳纳米管(CNT)作为理想的场发射阴极材料。它在场发射阴极阵列中的密度与阴极的场发射性能有着非常密切的关系。本文通过模拟计算找出了最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度，并通过实验进行了验证。实验证实浓度为2．5％的碳纳米管浆料制得的阴极有最佳的阵列密度。     

楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析．通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案.     

空心阴极灯中镧原子消多普勒光谱

我们在自制的La-Kr阴极灯中,用内调制、消多普勒荧光法研究了镧原子一些能级的超精细结构.据我们所知,其中20197.34cm~(-1)、21447.86cm~(-1)能级的超精细结构常数A、B尚无报道,这还是第一次.此外,还获得了线宽小于40MHz的线型和来自公共低能级的所有交岔线(Cross-Over line).对阴极灯中原子光谱特性进行了研究.     

多孔硅的干燥方法

研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品.在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺,因此,可应用于制作器件甚至电路集成.