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基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。 相似文献
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主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响.试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V. 相似文献
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<正> Intersil公司推出的ISL8120集成了两个电压模式同步降压PWM控制器,用来控制两个独立的电压稳压器或一个两相单输出稳压器。ISL8120利用锁相环电路输出的相位移可编程时钟信号,能将系统扩展到3、4、6、8、10相和12相等,并带所期望的交错相位移。为使并联电源模 相似文献
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大约从1990年开始,本公司研究开发了和主流产品萤光显示管(VFD:Vacuum Fluorescent Display)相同的真空管式平板显示电场发射型显示器(FED:Field Emission Display)。开发当初使用VFD用的低电压激发萤光粉(ZnO:Zn),以利用200V到800V驱动的低电压型为中心,配合阳极电压。 相似文献
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传统的直接转矩控制系统(DTC)转矩脉动较大,文章利用双PI控制方法进行了改进,设计出一种非零电压空间矢量和零电压空间矢量控制器,改进了速度调节器以及开关状态表,利用Matlab/Simulink进行了仿真。结果表明,所提方案能极大地减小转矩脉动和转速响应时间,同时算法简单,易于实现。 相似文献
99.
Michael Petersen 《电子设计技术》2007,14(11):121-121
一个简单的监控线路连接的交流负载供电所用的时间(如图1).可以转换成标准单线协议所用时间的计数值.当给交流负载供电时,光隔离器以交流线路频率向单线计数器DS2423 IC的输入端提供脉冲. 相似文献
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Anthony H Smith 《电子设计技术》2007,14(9):104-104,106
图1中的断路器仅需几个廉价的元件,即可对过电流和过电压故障状态进行反应.电路的核心是可调节的精密分路电压调节器D2,置在一只3引脚的封装中,提供了电压参考、比较器和集电极开路输出. 相似文献