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受航空电源电压波动及自身交流信号残余量的影响,电源电磁兼容的耦合度难以得到有效保障。基于此,文章提出考虑干扰信号的航空电源电磁兼容优化方法研究。将航空电源稳压器的输入和输出分别作为两个独立的信号源,计算纹波比后,滤波器采用压控电压源的方式只允许特定频率范围内的信号通过,抑制其他频率的信号。在测试结果中,设计方法下的耦合度与信噪比之间不存在直接相关关系,对应的测试结果始终稳定在-34.0dB以上,与对照组相比具有明显优势。 相似文献
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为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了135V,有效终端长度仅为18.5μm。此终端结构适用于中低压领域,且在SGTMOSFET元胞工艺步骤的基础上仅增加了一层掩膜,终端结构工艺和元胞工艺兼容,易于实现。 相似文献
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提出采用同一台指针式万用电表某一电压挡,通过串联电阻方法,准确测算负载端电压和电源的电动势及其内阻。介绍用某一电流挡通过并联电阻方法准确测算负载电流和电源电动势及其内阻。统称为半值法。从而排除了由于电源内阻的压降和电压表的分流作用而使得测量电压抵于实际值。也排除了由于电流表的分压作用而使得测量电流低于实际值。 相似文献
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在50 ~ 340 K不同温度下,利用紫色激光(λ=405 nm)对银/铋锶钙铜氧2223异质结界面进行辐照,观测到明显的光生电压效应,发现光生电压的极性分别在超导转变温度TC与320 K附近发生了反转,排除了激光产生的热电势是产生光生电压的原因,分析表明银/铋锶钙铜氧2223异质结界面处存在内建电场:光生电压由异质结界面处的内建电场分离光生电子-空穴对产生的.超导转变温度TC之下以及320 K以上,内建电场方向从超导体指向金属电极;超导转变温度TC与反向温度320 K之间,内建电场从金属指向超导体. 相似文献
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