CMOS运算放大器和电压比较器

ＣＭＯＳ运算放大器和电压比较器曾庆贵根据被处理信号的性质，集成电路有数字集成电路和模拟集成电路之分。数字集成电路又称逻辑电路，是指能够对数字信号进行算术或逻辑运算的电路，如门电路、触发器、计数器和寄存器等；而模拟集成电路是对模拟信号（即连续变化的信号...     

低损耗细径柔软同轴电缆

本文介绍日本最新开发的低损耗发泡氟树脂介质细径同轴电缆。这种同轴电缆特别适合于小型基站的天线馈线。文章介绍了这种同轴电费的结构、性能与制造工艺。     

数码摄像机动力之源的剖析

数码摄像机采用的动力源都是锂电池。锂电池在其它消费类电子产品中很常见,如手机、PDA等,但数码摄像机中的锂电池有所不同,它具有如下显著的特点: 1.容量大 其容量从680mAh到5400mAh不等,因而不同型号的锂电池的使用时间也是大不相同的,如佳能(CANON)的NB-1L就是680mAh,而索尼NP-F960容量就是5400mAh,可供长达15个小时的拍摄。     

提高电压调节器大功率管可靠性措施

大功率三级管在晶体管电压调节器中起无触点开关作用，是一个关键元件。为了提高大功率三极管的可靠性，我们在以下几个方面进行了探讨：大功率三极管的合理选择；保护电路的设计；正反馈电路的使用；散热器的合理设计；散热器的表面处理；接触面表面粗糙度和平面度公差的选择；导热衬垫的使用。根据探讨结果，采取相应措施，取得较好的效果。     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

基于柔性电网的电能质量分析

阐述柔性电网的特点,利用柔性电网电压计算模型分析网络的低电压特性,结合末端补偿和直流电源点补偿,从而提高电网电能质量。     

电爆炸箔断路开关的理论和实验研究

 采用金属箔电爆炸过程的二维数值计算模型，对含电爆炸金属箔断路开关的电感储能脉冲功率调节系统进行了数值计算。以此为基础，研制出了一种低电感型的电爆炸箔断路开关，并以4μF/75kV脉冲电容器组作为初级能源，13Ω电阻作为负载进行实验研究。研究结果表明：在负载上可获得约250kV，脉宽大于400ns的脉冲电压。