非晶IGZO薄膜晶体管开启区电流的解析模型

对非晶In-Ga-Zn-Oxide薄膜晶体管,假设能隙中陷阱态密度呈指数分布,给出了解析的电流模型。运用薄层电荷近似的方法推导陷落电荷和自由电荷表达式,并基于此给出了基于表面势的电流表达式。在此电流表达式的基础上,通过泰勒展开,给出了基于阈值电压的电流表达式。基于表面势和基于阈值电压的电流表达式的计算结果与测量数据相比较,符合得很好。     

太阳神之声——Lotoo便携式参考级音频播放器PAW Gold

随着时代的进步,音频发烧的形态也在逐步发生着变化,尤其在耳塞和耳机的市场中,传统的发烧方式正经历着时代大潮激烈的冲刷,越来越多的人开始重视随时随地的发烧音乐享受：一方面随身Hi—Fi的普及降低了欣赏音乐的准入门槛,满足了不具有客观条件摆放或支持复杂台式设备的发烧友们对音乐的需求;另一方面在枯燥的两点一线的生活中,在惬意的忙里偷闲时刻,如果能有高品质的音乐相伴,对发烧友而言的确是一大幸事。     

具有细化和抗噪声功能的边缘检测

本文提出一种新的利用55窗口的边缘检测方法。它可以明显地抑制噪声,并且克服了55窗口使被检边缘宽度增加的副作用。另外,针对图象成象时曝光不足的区域,对比度下降的缺陷,对不同灰度背景的区域,采用不同的判别门槛,因此能够正确识别不同灰度背景的物体边缘。     

CCD器件用于线材生产线的活套检测

文章介绍一种用ＣＣＤ器件，实现非接触光电测量，获取红热工件（线材、棒材）在空间的位置信号（活套套量）的方案及产品     

带逆平方势的非线性Schr?dinger方程的有限时间性态

在关于非相对论分子物理中磁性粒子捕获电子的研究中,带逆平方势的非线性Schr?dinger方程起着重要的作用.我们重点关注该系统有限时间内的存在性和性态,并导出了该系统解爆破的一个显示精确门槛标准.进一步,证明了该系统径对称爆破解的集中性.     

新四核智能手机芯片LC1813大幅降低智能手机技术门槛

随着智能移动终端成为通信产业的热点,大家对处理器提出了更高的要求,多核和多模的支持成了未来移动终端的发展趋势。联芯科技推出的四核TD—ScDMA智能手机芯片LC1813,大幅降低了国内厂商推出四核TD—SCDMA智能手机的技术门槛。此外,联芯科技还积极介入平板电脑领域,四核处理器LC1913也为平板厂商带来了新的选择。     

资源约束与贸易开放的技术溢出门槛效应研究——来自我国资源型地区的经验研究

通过构建中间产品种类扩张型的内生增长模型,本文论证了在资源约束条件下,贸易开放的技术溢出效应推动技术进步的作用机理以及技术溢出效应的制约因素。同时,本文还利用我国资源型地区2000~2009年的省际面板数据,实证检验了资源型地区贸易开放的技术溢出门槛效应。研究表明:贸易开放的技术溢出效应对资源型地区技术进步推动作用并不明显,人力资本、贸易开放、能源产业投资额、技术差距对技术溢出皆存在门槛效应,当跨越技术溢出的门槛值,资源型地区能够突破资源约束的瓶颈,实现本地区的技术进步。     

Low Threshold and High Conversion Efficiency Nanosecond Mid-Infrared KTA OPO

Based on a Type II non-critically phase-matched KTA crystal, a low-threshold and high conversion efficiency mid-infrared optical parametric oscillator （OPO） pumped by a diode-end-pumped Nd：YVO4 laser is demonstrated. The OPO threshold is only 0.825W. The maximum output power of 435mW at 3.47μm is achieved with the repetition rate of 30kHz, corresponding to an optical-to-optical conversion efficiency of 4.4%. The photon conversion efficiency is as high as about 64%. The pulse width is 3.5ns with a peak power of 4kW for the maximum output power.     

三莓竞秀凸现高资费门槛黑莓入市中国面临水土不服

在中国市场门外徘徊数年的黑莓手机（BlackBerry）终于成功杀进中国。在欧美市场风靡已久的黑莓在中国市场会否得到相同的际遇？中国市场对于黑莓来说有什么不一样。     

Sn-0.7 Cu钎料的蠕变性能研究

采用一种微型圆形截面试件对Sn-0.7Cu在23,60,90,120℃时进行了蠕变性能研究。引入门槛应力值方法(threshold stress approach)来描述Sn-0.7Cu的蠕变性能。得出在低温区蠕变真实应力指数为7,高温区蠕变真实应力指数为5。并确定了Sn-0.7Cu的蠕变本构方程。