具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

设计与制造之间的界面优化

分辨率增强技术（RET）设计流程中聚集了各式各样的点工具和方法。当前对深亚波长可制造性（DFM）设计的要求迫使设计与制造行业必须建立十分密切的合作关系。同时也促使EDA行业提供一种平台，以促进这些行业间的密切交流。合理利用这一平台将会对产能和品质产生直接的影响。     

一种用于波长路由光网络的分布式快速波长预留协议

波长预留协议用于在光通道建立过程中预留和配置波长.目前已有的波长预留协议都把协议设计的目标定为降低网络阻塞率,没有一种协议设计把目标定为缩短光通道的建立时间和简化协议处理过程.然而更短的建立时间和更小的协议复杂度对于未来极其动态的光网络却是非常重要的.提出了一种新颖的用于波长路由光网络的分布式快速波长预留协议-目的端预留协议,它在保证网络阻塞率可以接受的前提下,不仅可以降低连接建立时间,还可以减少控制节点处理器需要处理的信令消息数量.仿真结果证明了这一点.     

DFB-LD在不同温度下的频响测量

利用脉冲注入法测量了分布反馈激光器(DFB-LD)芯片温度与激射波长的关系.基于此关系测量了不同芯片温度下分布反馈激光器的小信号响应曲线、传输眼图和误码率,并讨论了温度、偏置电流对响应曲线、传输眼图和误码率的影响.     

腔长失调对光腔衰荡法测量精度的影响

 只考虑腔长失调因素下建立了反射率模拟测量的理论模型。根据高斯光束传输规律分析了腔长失调对衰荡腔模式耦合的影响，推导了腔长失调与谐振腔输出脉冲信号、衰荡信号与反射率之间的关系，模拟了腔长失调在±10mm范围内的光脉冲衰荡现象。结果表明：对于光敏面直径为0.2mm的高速探测器，为了保证10^-6的测量精度，腔长的失调量应控制在±1mm之间。在光路调节中采用具有对数变换功能的示波器和动态范围较大的探测器，可以提高测量精度。     

高斯光束经波长级圆孔衍射的轴上光强特性

基于横截面上精确表述的光强和精确的衍射场公式 ,对高斯光束经波长级圆孔衍射的轴上光强特性进行了研究。结果表明 ,高斯衍射光束的轴上光强特性取决于初始高斯半宽度w0 和波长级圆孔的孔径R。对于w0 /R≥ 1的高斯衍射光束 ,轴上光强存在的极值个数和出现的位置仅由比值m=2R/λ决定 ,最大的轴上光强均出现在N =R2 / (λz) =1的地方 ;至于轴上光强极值的峰和谷明显与否 ,取决于w0 /R的比值 ,比值越大 ,轴上光强极值的峰和谷就越明显。当w0 /R的比值足够大时 ,就趋向于平面波入射时的情形。而对于w0 /R<1的这一类高斯衍射光束 ,轴上光强存在特定的演化规律 :随着初始高斯半宽度的减小 ,轴上光强极值个数逐步减少直至全部消失。     

外光电法测量普朗克常量的误差分析与修正

光电效应实验测量得到的普朗克常量与公认普朗克常量值之间存在较大误差,本文通过一系列实验和数据分析,证明了光电效应实验中截止电压对应的光波长并不是滤色片标称的波长,而是小于滤色片标称的波长,是与光电管灵敏度相关的某一起始波长,即起始波长标称不准是误差的主要因素,并设计了相应的改进方案.     

脉冲电磁波在对称双槽上的散射特性研究

本刊讯随着亚波长光学的发展，人们对电磁波在具有凹槽的金属平面上发生的散射和共振进行了广泛而深入的研究，希望通过这些工作洞悉亚波长结构与电磁波作用的物理过程，并将成果应用于光学集成和人工材料的制造。为了简化问题，过去的研究绝大多数都是针对单色连续电磁波进行的，而对于更实际的脉冲电磁波鲜有涉及。     

长隧道机电一体化与安全

高速公路隧道段是整个高速公路的核心部位.由于高速公路隧道内的空间狭小,空气流通程度与亮度低,因此,隧道的建设与使用需要满足很高的要求.通过在隧道中建立监控系统,能够时刻掌握隧道的运行情况,及时的发现其中的隐患,从而提高隧道运行的安全性.本文通过对高速公路长隧道中的机电一体化技术进行讨论,并根据自身的见解提出了机电一体化与长隧道之间的安全关系,希望通过本文探讨,为相关人士提供参考.     

一种自组装的长程有序纳米模式

根据Moore定律,微处理器的能力可以按指数方式快速提高,数据存储能力的提高也以相似的方式增长,所以这已经成为进一步提高光刻技术的关键点.尖端光刻技术已经允许器件的特征长度可以比用来制作它们的光波波长还要短.例如,相干效应可被用于具有超紫外光线特性的50nm模式上[1].但是想要继续在成本与效益方面有所改善,可能性很小,所以Moore定律与光刻技术将会不可避免地分道扬镳.