Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

0.1微米以下晶体管对传统概念的挑战

晶体管在集成电路中占据着中心的位置,在“开”、“闭”两种状态下都要消耗能量:开路时,电流从源极流向漏极;闭路时,栅极和沟道之间存在的电荷泄漏同样也会形成电流。对较大尺寸(1微米)的晶体管来说,这种静态电流只占到整体能耗的0.01％,而在0.1微米以下的晶体管中,这种电流造成的能耗已占全部能耗的10％。对便携设备来讲,不但要有更小的设计尺度,消费者还要求电池能用更长的时间。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。     

CdS改性TiO2光催化剂的制备及结构

在半导体光催化剂中，TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点，但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低，而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时，改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行，不符合节能原则。     

CHBr薄膜制备的初步研究

碳氢（cH）及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多，诸如：离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积（LPPCVD）等。近年来，详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺，形成了比较成熟的技术路线与工艺路线，并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。     

静压下ZnS：Te中Te等电子陷阱的发光

研究了4块ZnS：Te薄膜样品(Te组分从0．5％到3．1％)的光致发光谱在常压下的温度特性．对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰，分别来自Te1和Te2等电子陷阱；而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光．我们还研究了这些发光峰在低温1．5K下的流体静压压力行为．观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多，而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小．根据Koster-Slater模型，价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因，而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的．     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

低掺杂浓度Nd:YVO4激光器的输出特性研究

在对Nd:YVO_4晶体的掺杂浓度和晶体长度对激光器性能的影响进行了分析后,报道了利用掺杂浓度为0.3at％,通光长度为10mm的Nd:YVO_4晶体作为增益介质,带光纤耦合的激光二极管端面抽运的Nd:YVO_4激光器。在抽运功率为27.365W时,获得了14.85W的TEM_(00)模输出,光一光转换效率为60.49％,斜效率达64.5％。