镓(Ⅲ)-茜素红体系的吸附伏安法

本文对镓(Ⅲ)与茜素红络合物在悬汞电极上的吸附伏安法作了研究,确定了电极过程.在HAc-NH_4Ac(pH4.06)缓冲溶液中茜素红存在下,用1.5阶微分吸附伏安法测定镓,其线性范围是1×10~(-10)～1×10~(-7)mol/L,其检测限为1×10~(-10)mol/L,并用此法测定了中草药中的痕量镓.     

硅酸镓镧晶体的Raman光谱分析

硅酸镓镧晶体(La_3Ga_5SiO_(14),简称LGS)是一种优良的压电晶体。我们根据商群理论计算了LGS的晶格振动模式数目,并测量了LGS的室温拉曼光谱,理论与实验非常吻合。     

有序GaxIn1—xP（x=0.52）光致发光谱研究

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究。在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰发生热猝灭，并在８５Ｋ完全消失。     

用RHEED方法实时观测GaSb晶体表面的溶化

晶体不存在过热溶化。人们普遍认为，这是因为在熔点之下晶体的某些表面已发生表面熔化。熔化层的厚度随温度升高而增加，从几个原子层到百个原子层，达到熔点时晶体则完全熔化。已观察到Pb、Au、Cu、Ag及H2O等晶体一些晶面的表面熔化现象。表面熔化已成为人们关注的一个重要     

AlGaAs／AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征

设计并利用MOCVD在（311）GaAs衬底上生长了12．5个周期的Al0．6Ga0．4As／AlAs黄绿光分布式Bragg反射（DBR）体系，测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布，反射率90％以上，波长不均匀性在1．0％以下；利用了X射线双晶衍射对其进行结构表征，580nm波长DBR结构周期为84．5nm。     

常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.