不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.     

三缺位α-9钨镓杂多酸盐的合成与性质

本文报道了一种新的三缺位杂多阴离子α-[GaW_9O_(34)H_2]~(9-)的钠、钾、四甲基铵盐的合成方法,并通过元素分析、红外、紫外、极谱、热分析等方法对它进行了表征。α-[GaW_9-O_(34)H_2]~(9-)是一具有三个空位的杂多阴离子,它能与过渡金属离子反应生成具有Keggin结构的三取代钨镓杂多阴离子[GaW_9O_(37)M_3(H_2O)_3]~(R-)。     

Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究

本文使用导模(EFG)法生长了Ni掺杂β-Ga₂O₃单晶,并通过粉末X射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量。进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni²⁺掺杂对β-Ga₂O₃光学特性的影响,发现其(100)面的紫外截止边为252.9 nm,对应的光学带隙为4.74 eV。此外,阴极荧光(CL)光谱测试结果显示,Ni²⁺掺杂β-Ga₂O₃单晶在600～800 nm具有宽带近红外发光特性,有望拓宽β-Ga₂O₃单晶材料在宽带近红外方面的应用。     

硅酸镓镧声表面波传感器的压力温度多参数解耦分析

针对硅酸镓镧声表面波压力传感器,提出了一种温度和压力的多参数解耦方法。理论上采用有限元方法与微扰理论结合,计算传感器在不同温度、压力下频率响应。根据计算结果,构造出传感器温度与压力的解耦公式。以一种基于LGS(0°,0°,100°)点压力式SAW传感器为例,理论计算得到其温度与压力解耦公式的具体参数,同时与在-55℃-125℃,0-1 MPa范围内的实验测试结果对比。理论分析和实验测试结果基本吻合,验证了温度压力多参量解耦方法的正确性。     

无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系，大低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构。随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，说地宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移，同时强度减小两个数数量级。     

Effect of gallium, aluminium, and chromium on silica supported V-Mg-O catalysts during oxidative dehydrogenation of propane: Kinetic study

The oxidative dehydrogenation （ODH） of propane was conducted on gallium, aluminum, and chromium doped Si30VMgO catalysts. On doping, the concentrations of the phases responsible for the activity and selectivity increased in their concentrations. The reaction studies were conducted in a tubular steel reactor at temperatures of 753, 783, 813, and 843 K and atmospheric pressure. The total flow rates of the feed were chosen as 30, 40, 50, and 60 ml/min. The propane to oxygen ratios were chosen at 1 ： 1, 2 ： 1, and 3 ： 1, respectively. The effect of various dopants on the activity and selectivity of the catalysts was studied. Deactivation studies were conducted over all the catalysts. The kinetic data were analyzed in terms of power law models and Langmuir-Hinshelwood （LH） models. The kinetic data results were analyzed by comparing the effect of dopants. Statistical model discrimination was done for the proposed models. AIC and BIC criteria were used for discrimination of the models.     

大孔磷酸树脂吸附稼的研究

本文报道了大孔膦酸树脂对镓(Ⅲ)的吸附及洗脱条件试验,报道了混合体系中镓对共存离子的分离系数,以及树脂对稼的吸附容量和络合比,并探讨了膦酸树脂吸附镓(Ⅲ)的机理。红外光谱证明,树脂吸附Ga(Ⅲ)的过程,p-OH基中的H与Ga(Ⅲ)发生了交换,而p=0基参与配位,形成了配位化合物。     

自对准GaInP/GaAs HBT器件

利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.