锂离子电池掺钴正极材料电子结构的DV-Xa研究

采用原子基表示的第一原理赝势方法，计算了正极材料LiMn2O4的电子结构，发现LiMn2O4的价带主要是由Mn(8)和Mn(9)的3d轨道和O(7)、O(6)、O(4)的2p轨道构成，导带主要是由Mn(8)和Mn(9)的3d轨道和O(7)的2p轨道构成．通过计算Li5Mn2C0O8的电子结构，发现在LiMn2O4中用钴离子取代16d位锰离子将使电极材料的费米能减小，放电电压降低；锂离子的净电荷增大，锂离子与氧离子的相互作用增强，可逆容量降低；同时由于价带宽度变窄，Co-O键间的相互作用比Mn-O键间的相互作用强，所以，结构稳定性增加，电极循环性能改善．     

用于高端手持设备的低成本充电管理芯片BQ24070应用设计

给出详细的锂电池充电管理芯片13Q24070应用设计.     

Dissociative Chemisorption of an H2（v,j） Molecule on Rigid Ni （100） Surface： Dependence on Surface Topologies and Initial Rovibrational States of the Molecules

The H2(v,j) Ni(100) collision system has been studied to understand the effects of the surface sites and initial rovibrational states of the molecule on molecule-surface interactions, by a quasiclassical molecular dynamic simulation method. Dissociative adsorption of an H2 molecule on the rigid Ni(100) surface is investigated at topologically different three sites of the surface. Interaction between the molecule and Ni surface was described by a London-Eyring-Polani-Sato (LEPS) potential. Dissociative chemisorption probabilities of the H2(v, j) molecule on various sites of the surface are presented as a function of the translation energies between 0.001-1.0eV. The probabilities obtained at each collision site have unique behaviour. At lower collision energies, indirect processes enhance the reactivity, effects of the rotational excitations and impact sites on the reactivity are more pronounced. The results are compared with the available studies. The physical mechanisms underlying the results and quantum effects are discussed.     

4，4′—二偶氮苯重氮氨基偶氮苯与Ag（I）的显色反应及其应用

本文报道了4,4′ -二偶氮苯重氮氨基偶氮苯在Triton X-100存在下与Ag(Ⅰ)的显色反应.在pH10.0的硼砂-氢氧化钠缓冲溶液中,试剂与Ag(Ⅰ)形成1∶1的红色配合物,其最大吸收波长为540nm,表观摩尔吸光系数为7.55×104L*mol-1*cm-1,Ag(Ⅰ)的浓度在0-0.28mg/L范围内符合比耳定律.应用于显影废液和钮扣电池液中Ag的测定,结果令人满意.     

镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究

采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用．结果表明：冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数上升，并且寿命谱的两成分拟合出现一个390ps的长寿命分量；而退火及回复镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数均不改变．因此认为冷轧镍充氢后正电子参数（平均寿命和S参数）的上升取决于氢和空位的互作用，与氢和位错的互作用无关；氢空位对也可以作为聚集空位的核心 关键词：     

国际整流器公司全新MOSFET芯片延长笔记本电脑电池寿命20%

国际整流器公司(International Rectifier)推出适用于笔记本电脑的电源芯片,将笔记本电脑的电池寿命延长20%,是业内首个超越英特尔移动电源'99标准(Mobile Power Guideline 1999)的产品,该标准是英特公司特别为笔记本电脑的电源系统制定的。 新的低压HEXFET功率MOSFET产品有两种型号——IRF7805及IRF7807。这两个新产品的推出是基于对直流/直流转换器深入分析而提出的对栅电荷和通态电阻     

神经网络法计算镉（Ⅱ）,羟基及碳酸根三元体系的形态分布

采用前馈线笥网络ＢＰ算法，计算了Ｃｄ６２＋－ＯＨ＾－ＣＯ＾２－３三元体系的累积稳定常数。用Ｈｏｐｆｉｅｌｄ反馈网络研究了体系中络合物的形态分布。溶液中溶解的ＣＯ２对ｌｇβ１的计算结果有重要影响，对ｌｇβ２，ｌｇβ３，ｌｇβ４的结果影响不大。