N—ISDN走出低谷B—ISDN迈向市场

本文介绍了全球Ｎ－ＩＳＤＮ的商用情况和Ｂ－ＩＳＤＮ的发展趋势，展示出Ｎ－ＩＳＤＮ走了低谷、Ｂ－ＩＳＤＮ迈向市场的美好前景。     

电子电镀中的选择镀技术

本文简要介绍了电子电镀中各种高速选择镀装置的基本原理和构造,以及各种因素对高速选择镀的影响。评述了高速镀液的选择、要求和操作条件。重点介绍了半导体封装、IC框架、接插件和触点等的镀金和镀银溶液。     

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 关键词：     

建设ISDN应注意的几个技术问题

为了提供多种信息，许多发达国家早就在搞综合业务数字网（ＩＳＤＮ）了。先是窄带的Ｎ—ＩＳＤＮ，进而是宽带的Ｂ—ＩＳＤＮ。预计到２０００年前后，Ｂ—ＩＳＤＮ将正式投入应用。我国对于ＩＳＤＮ也很重视，计划到２０１０年要实现相当规模的Ｂ－ＩＳＤＮ。建设ＩＳＤＮ，有很多技术问题，本文只对几个主要的，例如参考结构、ＩＳＤＮ的信今、ＡＴＭ（异步传送模式）及ＩＳＤＮ与各方面的配合作简要介绍。     

B—ISDN宽带UNI信令点到多点配置的实现

本文根据ＩＴＵ－Ｔ最新的Ｑ．２９７１协议，以及笔者所从事的实际课题，提出一整套Ｂ－ＩＳＤＮ第三层ＵＮＩ信令的软件实现策略，其特点是能同时满足用户对点到点以及点到多点广播这两种通信方式的要求，而且可以动态配置。     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。     

ATM的现状及发展

本文对ＡＴＭ的主要技术问题和ＡＴＭ技术的应用及目前国内外的现状进行了简要地介绍，并对ＡＴＭ技术在Ｂ－ＩＳＤＮ发展过程中的作用和应用趋势作了展望，从而从技术上指出了ＡＴＭ的研究和发展方向。