电磁屏蔽技术

题目：碳纳米管的镍铜复合金镀层及其抗电磁波性能；题目：电磁屏蔽材料的研究进展；题目：电磁波屏蔽复合材料的研究现状；题目：非晶态电磁屏蔽材料的制备与性能。     

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.     

稀土元素Ce填充p型方钴矿化合物的热电性能

用高温熔融-退火扩散法合成了富Co组成的方钴矿化合物CeyFexCo4-xSb12(y=0～0.42),并对化合物的结构和热电性能进行了研究.结果表明:化合物的晶格常数随Ce填充量的增加而线性增加.霍尔系数RH为正值,CeyFexCo4-xSb12化合物表现p型传导.载流子浓度和电导率随Ce填充量的增加而减少.Seebeck系数随Ce填充量的增加及温度的上升而增加.晶格热导率在Ce填充量约为0.29时达到最小值,说明在Sb组成的二十面体空洞中部分填充时,Ce的扰动对声子的散射作用最强.在725K时,组成为Ce0.29Fe1.41Co2.59Sb12.32化合物的最大无量纲热电性能指数达到0.65.     

降低镀层应力提高键合强度

本文分析了影响键合强度的因素,介绍了保证键合强度的方法及应注意的问题。     

离子镀技术的发展和现状

本文分析研究了国内外离子镀技术的动态，阐述了离子镀的特点，介绍了离子镀设备及工艺的发展和现状以及实用的离子镀膜检测方法。     

军用元器件金属外壳镀层质量评价

国产军用电子元器件金属外壳经过镀层测试、耐湿试验，烧结前、后键合拉力试验，可焊性试验，反映出由于金属外壳镀层质量不合格而导致其耐蚀性能及健合拉力不到要求，通过研究采用防锈涂覆的方法，使不合格镀层的金属外壳增强了耐蚀能力，并选定了一个适合我所工艺生产能力的镀金层范围，以保证键合应力值符合GJB548A要求。     

动态感受野特征选择去雾网络

基于深度学习的去雾模型大多在网络参数固定后，感受野也就随之固定。这导致去雾网络无法针对每个具体的场景采用最优的模式进行去雾，从而造成结果中存在模糊和失真。针对这些问题，文中提出动态感受野特征选择去雾网络。该网络以带有空洞卷积的特征注意力空洞模块为基础组件，并行使用多个空洞率不同的特征注意力空洞模块来提取多尺度特征，并进行动态特征融合，构成动态感受野模块。文中将多个动态感受野模块搭配残差连接组成深度网络，对不同层次的特征进行动态混合，最终解码得到去雾图像。实验结果表明，文中所提算法对室内和室外的合成雾图以及真实含雾图像均具有良好的去雾效果，可以生成清晰、自然的去雾图像。     

真空环境下的共晶焊接

共晶焊接是微电子组装中一种重要的焊接工艺。文章简要介绍了共晶焊接的工作原理以及共晶焊料如何选用和常用共晶焊料的性能特性。然后比较了几种共晶焊接设备的优缺点,得出用真空可控气氛共晶炉在真空环境下完成共晶焊接能有效防止共晶焊接过程中氧化物的产生,大大降低空洞率,从而提高焊接质量。它同样适用于多芯片组件的一次共晶。对真空环境下影响共晶焊接质量的真空度、保护性气氛、焊接过程中的温度曲线、焊接时的压力等条件做了探讨,得出了几种最优的工艺方案,能适用于大部分的共晶焊接工艺。     

193 nm氟化物增透膜的特性

 为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等光学特性,以及表面粗糙度和应力等特性进行了测量和比较。在分析比较和优化的基础上,设计制备的3层1/4波长规整膜系AlF3/LaF3增透膜在193 nm的剩余反射率低于0.14%,单面镀膜增透膜的透射率为93.85%,增透膜表面均方根粗糙度为0.979 nm,总的损耗约为6％。要得到高性能的193 nm增透膜,应选用超级抛光基底。