多尺度特征融合的壁画多光谱图像颜料3D-CNN分类方法

颜料的分类识别是古代壁画进行保护修复的基础,多光谱成像方法能够无损快速地获取壁画颜料的光谱图像数据并进行分析。传统利用卷积神经网络进行特征提取的算法中连续的卷积和池化操作会丢失壁画多光谱图像的部分特征信息,使得图像细节无法重建,导致分类图像边界不平滑。针对该问题,提出了一种基于多尺度特征融合的三维空洞卷积残差神经网络对壁画多光谱图像进行颜料分类。首先,在卷积核中引入空洞结构提高卷积核的感受野来提取不同尺度信息,避免池化操作所导致的部分特征丢失;其次,使用特征融合的方法融合不同尺度的特征图,增加多尺度特征的结构层次;最后,引入残差学习模块避免网络层数加深导致的梯度消失问题,重建完整的边缘信息。实验结果表明,所提方法在模拟壁画多光谱图像数据集上的总体精度和平均精度分别达到了98.87%和96.89%,与各对照组相比,不仅具有更好的分类精度,而且得到了边界更清晰的分类图像。     

基于多尺度特征编码和双重注意力融合的绝缘子缺陷检测

针对输电线路绝缘子缺陷检测准确率低和检测速度慢的问题,提出了一种基于多尺度特征编码和双重注意力融合的输电线路绝缘子缺陷检测方法。首先,为了使检测模型适应缺陷绝缘子特征尺度的多样性,编码网络采用Res2Net50提取更细粒度的特征,并在之后嵌入空洞空间金字塔池化模块实现多个尺度捕捉绝缘子及其缺陷的特征;其次,为了减少解码网络中特征信息的缺失,将主干网络的不同层特征与efficient channel attention注意力模块串联,并分别与经过squeeze and excitation注意力模块的各反卷积特征相加形成双重注意力融合。实验结果表明,所提方法的均值平均精度值约为95.35%,每秒传输帧数约为65.95,与其他方法相比,该方法对无人机绝缘子缺陷的准确检测具有一定的参考价值。     

BGA空洞形成的机理及对焊点可靠性的影响

BGA空洞是BGA组装过程常见的工艺缺陷,系统介绍了BGA空洞形成的机理与主要影响因素,讨论了BGA空洞的接受标准及其对焊点可靠性的影响,提出了消除及减少空洞缺陷的主要措施.     

元器件纯锡镀层表面晶须风险评估与对策

讨论了各种锡晶须的形态以及其长度的具体测量方法,并在试验研究的基础上进一步分析抑制非光滑(哑光)纯锡镀层上锡晶须生长的对策.研究结果表明,增加锡镀层厚度(＞7 μm),或通过使用添加剂来产生更加粗糙的表面以适当增大晶粒尺寸,电镀完成后及时进行退火程序是进一步减轻雾锡镀层上锡晶须困扰的有效手段.如果引入Ni作为中间镀层,则需要达到一定的厚度(估计＞0.7 μm),方可达到预期的效果.     

基于空洞循环卷积的近红外图像彩色化方法

针对近红外图像彩色化过程中存在近红外与可见光图像间模态差异较大、图像域样式不佳而导致其彩色化结果出现色彩纹理不吻合的问题,提出一种基于空洞循环卷积的近红外图像彩色化方法。改进CycleGAN网络,利用级联结构和空洞卷积块的优势设计了一种名为空洞级联模块,该模块采用编解码级联结构,代替原模型残差网络中的单向连接结构,进行特征通道的级联。在编解码级联层中引入空洞卷积模块,利用空洞卷积不损失图像纹理细节的优势,进一步提取不同尺度的近红外图像特征信息,最后通过解码将近红外灰度图像上色成彩色近红外图像。算法在生成网络中采用空洞级联方式改善误着色问题;在判别网络中引用感知损失函数改善网络收敛速度慢的问题。并且在NIR＿VIS数据集上开展验证和分析。实验结果表明,所提方法提升效果明显,更好地保持了原目标的结构及色彩纹理特征,有效地提升了近红外图像的可视化效果。     

LGA器件焊点缺陷分析及解决

文章针对LGA器件回流焊后常见的空洞和锡珠等缺陷,对其产生的原因进行了分析.通过对LGA器件采用预上锡回流工艺和印制板钢网一字架桥开口的方式,提升回流焊过程中焊膏中挥发气体的逸出,并通过对比试验,找到合适的预上锡钢网尺寸,解决了生产中LGA器件焊接常见的空洞大等缺陷.     

电磁屏蔽技术

题目：碳纳米管的镍铜复合金镀层及其抗电磁波性能；题目：电磁屏蔽材料的研究进展；题目：电磁波屏蔽复合材料的研究现状；题目：非晶态电磁屏蔽材料的制备与性能。     

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.     

稀土元素Ce填充p型方钴矿化合物的热电性能

用高温熔融-退火扩散法合成了富Co组成的方钴矿化合物CeyFexCo4-xSb12(y=0～0.42),并对化合物的结构和热电性能进行了研究.结果表明:化合物的晶格常数随Ce填充量的增加而线性增加.霍尔系数RH为正值,CeyFexCo4-xSb12化合物表现p型传导.载流子浓度和电导率随Ce填充量的增加而减少.Seebeck系数随Ce填充量的增加及温度的上升而增加.晶格热导率在Ce填充量约为0.29时达到最小值,说明在Sb组成的二十面体空洞中部分填充时,Ce的扰动对声子的散射作用最强.在725K时,组成为Ce0.29Fe1.41Co2.59Sb12.32化合物的最大无量纲热电性能指数达到0.65.     

降低镀层应力提高键合强度

本文分析了影响键合强度的因素,介绍了保证键合强度的方法及应注意的问题。