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101.
102.
盲孔无铜是HDI板件中常见的一种缺陷。盲孔无铜产生的原因包括电镀、钻孔及杂物等,需要找出具体的原因分类进行针对改善,树脂杂物空洞也是影响因素之一。本文通过对发生树脂杂物空洞的盲孔无铜实例分析来寻找杂物源头及进行过程改善。  相似文献   
103.
无空洞真空共晶技术及应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
在采用功率芯片集成产品时,往往要求热阻小,可靠性高.在这方面,真空共晶技术与传统的芯片贴装方法如环氧粘结或者手动氮气保护共晶技术相比更具优势.分析了真空环境对共晶焊接的影响,同时对影响真空共晶焊接的工艺因素进行了剖析,通过这些因素的控制,可以得到无空洞的焊接.同时给出了真空共晶技术可能的应用.  相似文献   
104.
随着密间距BGA、CSP器件的大量应用,该类器件在焊接中的空洞问题也越来越受到人们的重视.而无铅制程的导入使得这一问题表现得更加突出.基于对多个实际案例的解剖、分析、试验的统计数据基础上,对产品生产过程中所发生的PBGA、CSP的空洞现象进行了分类归纳.并一一研究了其形成机理、影响因素及抑制对策.  相似文献   
105.
为了保证锡及其合金镀层在电接触表面能无故障、有效和安全可靠地接触,就必须清楚地了解锡及其合金镀层作为电接触表面材料的特性和特征;同时,还应考虑锡及其合金镀层在电接触表面的使用功能、使用条件和使用环境.实践证明:锡及其合金镀层的电接触表面只要与电接触表面润滑保护材料如LP-38T或SP-32T等有效地配合使用就可以更为合理地配置、利用和节约有限的贵金属自然资源,就能使人类社会达到持续、稳定和文明地向前发展.  相似文献   
106.
由于再流焊与波峰焊工艺不同、无引线或有引脚元件的焊端镀层和引脚表面镀层中的Pb含量(或无铅材料的含量)与BGA焊球中Pb含量(或无铅材料的含量)的不同,不同的混用情况对焊点可靠性的影响也是不一样的,因此需要对各种具体混用制程分别讨论。  相似文献   
107.
长周期光纤光栅(LPFG)传感器具有非常广泛的应用价值,而有效解决物理量交叉敏感问题是其实用化的关键。基于LPFG对包层外介质折射率和厚度的敏感性,提出一种双段多层折射率横向分布结构的新型LPFG传感器的设计,并利用耦合模理论和传输矩阵方法分析了镀膜材料折射率、膜层厚度和镀层长度对新型LPFG传感器光谱特性的影响。软件仿真结果证明,这种LPFG由于结构设计上的特殊性,将使LPFG的谐振峰发生分裂,即一个透射峰分裂为两个。由于两个分裂峰对应力和温度的灵敏度不同,利用该结构的LPFG作为传感器,可以实现温度、应力等物理量的同步测量,从而解决LPFG传感器的交叉敏感问题。  相似文献   
108.
再流焊中的空洞现象几十年来一直困扰着工业界。在目前流行采用的BGA和CSP器件上,空洞问题尤为突出,尤其是存在微孔的时候。转换到无铅焊领域来看这个问题又更加严重。空洞的存在会影响焊点的机械性能,减弱焊点的延展性,蠕变和疲劳寿命。空洞会产生局部过热现象,从而使焊点的可靠性下降。所以,材料学家和工程师一直面临着如何减少空洞的挑战。  相似文献   
109.
We investigate the nanostructure, surface plasmon resonance (SPR) absorption and nonlinear enhancement of Au/Ag alloyed hollow nanoshells prepared by the replacement reaction of Ag nanoparticles in a HAuCI4 aqueous solution. As the volume of HAuCl4 increases from OmL to 0.S mL, the SPR band of the Au/Ag alloyed nanoshells is tuned from 430nm to 780nm, and the third-order nonlinear optical susceptibility is enhanced nearly by an order of magnitude, which indicates a large enhancement of local field in the Au/Ag alloyed hollow nanoshells with hole defects.  相似文献   
110.
利用分子动力学方法研究了单晶铜中不同大小的球形空洞在冲击波下的演化过程.模拟结果表明不同大小空洞的塌缩过程不同.模拟中冲击波由空洞左边扫向空洞右边.在较大尺寸的空洞塌缩过程中会产生系列的位错环.当空洞半径较小时,先在空洞的右侧形成位错环,当空洞半径增大到某一临界大小时,在空洞左右两侧同时产生位错环,当空洞半径较大时,先在空洞左侧形成位错环.当空洞左右两侧的位错环均形成以后,其右侧位错环前端的生长速度大于其左侧的.空洞半径增大,相应的位错环前端的生长速度变化不大.当空洞半径增大时,空洞中心指向位错源的矢量方 关键词: 纳米空洞 位错环 冲击波 塑性变形  相似文献   
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