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101.
本试验利用SEM和电阻炉研究一种SEM样品的制备方法,用于观察裂纹路径,并分析断裂后的显微组织变化。结果表明:通过浸镀焊锡,能够在不同断裂方式形成的裂纹轨迹上形成一条明显的"纯锡带",呈现出裂纹路径。同时该方法能够观察分析拉伸、冲击、断裂韧性及疲劳断裂等过程中产生的二次裂纹路径及断裂表层下的组织演变。  相似文献   
102.
该文研究采用光栅投影相位测量轮廓术实现锡膏三维测量,选择合适的硬件设备搭建了锡膏三维测量实验系统,采用四步相移法进行锡膏三维测量.实验结果表明,该文所设计的锡膏三维测量实验系统采用光栅投影相位测量轮廓术能够重建锡膏三维信息,可以达到锡膏三维检测精度的要求.  相似文献   
103.
铜锡合金纳米粒子的制备和性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过化学还原方法制备了铜锡合金纳米粒子,并研究分析了其的尺寸和热学性能。铜锡纳米粒子的X射线衍射分析结果显示,合成产物主要是锡纳米颗粒和铜锡合金(Cu6Sn5)纳米颗粒组成,且这些纳米粒子并未被氧化。其示差扫描量热法测得结果表明,本次合成的纳米颗粒的熔点为202.98 ℃,适合现代电子封装技术对低熔点封装材料的要求。  相似文献   
104.
以硝酸铋和四氯化锡为原料,采用浸渍法制备了纯Bi2O3和Sn掺杂Bi2O3光催化剂。利用X射线光电子能谱、X射线荧光光谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱对样品进行了表征。在可见光下,利用2,4-二氯苯酚水溶液的光催化降解作为探针反应,考察了样品的可见光催化活性。结果表明,浸渍法能较好地实现Sn的掺杂,催化剂中掺杂剂Sn的价态为+4价,以锡的氧化物形式存在于Bi2O3晶格间隙或晶粒表面。并且掺杂适量的Sn,可有效抑制Bi2O3晶相由四方相向单斜相的转变,拓宽了Bi2O3的可见光响应范围,有效阻止了光生电子和空穴的复合,从而提高了Bi2O3的可见光催化活性。当Sn的掺杂量为2%时(物质的量的分数),Bi2O3具有最好的可见光催化活性。  相似文献   
105.
合成了2个苯甲羟肟酸有机锡配合物:[(o-Cl-C6H4CH2)2Sn (C6H5CONO)2](1)和[(o-CH3-C6H4CH2)2Sn (C6H5CONO)(C6H5COO)](2)。通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱、热重分析、单晶X射线衍射等方法对配合物进行了结构表征,对其结构进行量子化学从头计算和体外抗癌活性研究。结果显示:配合物均为单锡核结构,配合物1为六配位的畸变八面体构型,配合物2为五配位的畸变三角双锥构型;配合物1对人宫颈癌细胞(HeLa)、肝癌细胞(HuH-7)和肺腺癌细胞(H1975)显示出比临床使用的顺铂强的抑制活性,而配合物2的抑制活性要弱得多。  相似文献   
106.
本文合成了1-(2-吡啶甲基)-1,2,4-三唑(L),并研究了其与有机锡和羰基钼(钨)的配位反应,合成了通过三唑4位氮原子以单齿形式配位的有机锡衍生物L2SnR2Cl2(R=Me,n-Bu或Ph)和羰基金属配合物LM(CO)5(M=Mo或W),以及N,N螯合双齿配位的四羰基金属配合物LM(CO)4。当用氯化苄处理L时,制得了相应的三唑盐,该盐用氧化银处理后与M(CO)5THF或M(CO)4(NHC5H102(NHC5H10为哌啶)反应,得到了基于三唑的氮杂环卡宾衍生物L’M(CO)5和L’M(CO)4(L’=1-(2-吡啶甲基)-4-苄基-1,2,4-三唑-5-碳烯)。X-射线单晶衍射分析表明,在L’M(CO)5中氮杂环卡宾配体L’表现为通过卡宾碳配位的单齿配体;而在L’M(CO)4中,L’表现为通过卡宾碳和吡啶氮原子配位的螯合[C,N]双齿配体。  相似文献   
107.
通过固相合成方法将聚酰胺-胺树状分子担载于氯球上,对其外围分别用2,4-二羟基苯甲醛和邻羟基苯甲醛进行修饰,再与SnCl2.2H2O反应,形成配体不同的两类树状高分子锡配合物.将此类配合物用作30%的双氧水氧化酮的Baeyer-Villiger反应的非均相催化剂,具有较好的催化活性.2-金刚烷酮、环己酮、3-甲基-2-戊酮等都转化为相应的酯和内酯,底物的转化率和产物选择性均较高.对2-羟基苯甲醛、2,4-二羟基苯甲醛和邻羟基苯甲醛修饰的不同类型催化剂催化下的反应进行比较,发现配体对锡的担载量和催化活性均有不同程度的影响.其中邻羟基苯甲醛修饰的配合物因具有较高的锡担载量而具有了最佳的催化活性.此催化体系使用环境友好的低浓度双氧水为氧化剂,催化剂制备方法简单、催化反应完成时间短、催化剂在多次重复利用后活性没有明显降低,可回收和重复利用.  相似文献   
108.
报道了锡粉促进下,以四氢呋喃(THF)为溶剂,在室温条件下,通过醛、芳甲酰肼和烯丙基溴"一锅法"反应,合成高烯丙基酰肼化合物的方法.该方法具有条件温和,不使用任何催化剂,操作简单,产率高等优点.  相似文献   
109.
110.
采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS2/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究。结果表明: Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7×103。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。  相似文献   
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