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171.
多孔硅发光机制的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应,推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了PS光致发光的实验现象。 相似文献
172.
600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管 总被引:3,自引:2,他引:1
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin... 相似文献
173.
Si/Ag/Si和Si/Au/Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDS)对a-Si:H/Ag/a-Si:H和a-Si:H/Au/a-Si:H薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件,分形的形成可用随机逐次触发形核和生长(RSNG)来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散,Si分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在a-Si:H/Ag/a:Si:H膜中存在部分较大的Ag晶粒凸出膜面。 相似文献
174.
钽/硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应卢江,李凡庆,陈志文,谭舜,陆斌,张庶元,王路春,李齐(中国科技大学结构分析开放实验室,合肥230026)(南京大学物理系)多层膜提供了一个具有大量界面的扩散、晶化、固相反应的系统。本文研究了在550℃退火后... 相似文献
175.
Mo/Si多层膜界面离子束处理及TEM观察薛钰芝R.Schlatmann,林纪宁A.Keppel,J.Verhoeven(大连铁道学院,大连116022)(荷兰FOM原子分子物理研究所)软X射线多层膜(MultilayersforSoftX-rayO... 相似文献
176.
178.
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展. 相似文献
179.
硅直接键合工艺对晶片平整度的要求 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用弹性力学近似,给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系,并用X射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。 相似文献
180.