多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 关键词：     

过共晶Al－Si合金共生区激光表面处理

用２ｋＷ连续ＣＯ２激光对过共晶Ａｌ－１８Ｓｉ合金以不同能量密度和扫描速度进行快速熔凝处理。用扫描电镜、电子微区分析仪分析了微观结构。从计算机对Ａｌ－Ｓｉ合金ｆ－ｎｆ系统的非平衡理论计算所得的共生区及实验结果的分析可见，当能量密度和扫描速度决定的凝固条件处于共生区中部时，过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金激光表面处理可以得到共晶间距低于２００ｎｍ的完全共晶结构。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

两种多色相干光源的比较

从解析分析和数值模拟两个方面比较了两种多色相干光源的特性。结果表明：采用普通共振腔构型，由基模群聚产生的相干谐波与采用光速调管放大器构型，由外源预群聚产生的相干谐波比较，除了多一个基模输出功率以外，高次谐波输出功率至少同量级：而且前者不需要外源，只要研究对不同频率光的镜子反射系数和功率提取就可以了。     

硅 SIMOX 单模脊形光波导研制

本文描述硅光波导技术的重大突破：（１）用ＳＩＭＯＸ技术代替传统的硅外延型光波导，解决了衬底吸收光波．从而显著改善了光波导的传播损耗．（２）在理论及实验上均已解决用调整脊形的高宽比（高宽均能达１０微米左右），制取单模脊形光波导．这种光波导的下覆盖层是ＳｉＯ２，传播损耗小；断面积大，和单模光纤耦合良好．满足了光集成技术中对光波导的几项重要要求．     

元素在石墨炉内石墨探针表面上的原子化机理研究：Ⅶ.锗的原子化机理

本文应用Ｘ－射线衍射，Ｘ－射线光电子能谱，俄歇电子能谱和其它一些实验，考察石墨炉升温过程中氟化锗，锗酸钠在石墨探针表面上的形态变化，阐明了它们的原子化机理：ＧｅＦ２与Ｎａ２ＧｅＯ３首先分解为ＧｅＯ２，ＧｅＯ２还原为ＧｅＯ，后者在＞２４００Ｋ热分解产生自由态的锗原子，ＧｅＦ２和Ｎａ２ＧｅＯ３的原子化均源于ＧｅＯ（ｇ）的气相分解。原子化的升温过程中，在１４００－２４００Ｋ ＧｅＦ２和Ｎａ２ＧｅＯ３都产     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。