全文获取类型
收费全文 | 107篇 |
免费 | 24篇 |
国内免费 | 37篇 |
专业分类
化学 | 1篇 |
晶体学 | 3篇 |
物理学 | 19篇 |
无线电 | 145篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 7篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 2篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 13篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 10篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有168条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
本文介绍采用(211)方向生长的InSb晶体,在均匀性方面有明显的改善,用此晶体制造的3~5μm光伏探测器组件,有优越的性能,该产品已提供用户使用8年之久,性能一直保持稳定。 相似文献
82.
83.
84.
85.
86.
87.
介绍了增黏剂(HMDS)的物化性质及其在光刻工艺中的作用,并且通过实验研究将增黏剂应用于锑化铟材料的光刻工艺,改善了锑化铟的表面状态,增强了锑化铟衬底与光刻胶的黏附性,进而在湿法腐蚀等后续工艺中提高了光刻胶的抗腐蚀性. 相似文献
88.
锑化铟(InSb)晶体材料自发现伊始,基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性,成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来,由于其在红外探测领域的应用前景,更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视,技术发展迅速。目前,InSb晶体材料作为制备高性能中波红外探测器的首选材料,应用前景和商业需求巨大,基于InSb晶体材料的红外探测器的快速发展更是大大提升了红外系统的性能,促进了红外技术在军民领域的广泛应用。本文主要介绍了InSb晶体材料的性质,梳理了国内外各公司及研究机构关于InSb晶体材料的研究进展,以及其在红外探测领域的应用情况,对其发展前景和趋势进行了展望。 相似文献
89.
锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。 相似文献
90.