稀掺杂GaNxAs1－x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_1-x薄膜，并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN_0.005As_0.995和GaN_0.01As_0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E₁+Δ₁+Δ_N.当N掺杂浓度达到 关键词： 压电调制反射光谱(PzR) xAs_1-x薄膜')" href="#">GaN_xAs_1-x薄膜 分子束外延(MBE)     

一种用叠层式降压型压电变压器的高频开关电源

介绍一种叠层式压电陶瓷降压型变压器的基本结构，工作原理，等效电路以及实验测度与等效计算的结果，介绍这种压电变压器用于高频开关电源产品的工作状态测试结果；叠层式降压型压电陶瓷变压器用于高频电源的优点及宽广的应用领域。     

功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制

阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。     

AAS测定纸巾中的铅和镉

本文采用原子吸收光谱法测定纸巾中铅、镉的含量。结果表明，不同纸巾中的污染元素铅、镉的含量不同。同时还对一种纸巾的铅、镉元素进行了回收实验，回收率在92％-104％之间。     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.     

新型叠层多元陶瓷片式熔断器应用指南

熔断器在电路保护中起着关键作用。对熔断器的基本要求是不该断的时候不能断(比如在出现浪涌电流的时候)，该断的时候一定要断(比如出现需要切断的过载电流的时候)。选择正确的熔断器至关重要，本文对熔断器的选择做一详细介绍。     

洪茂椿院士主持的光功能纳米陶瓷材料研究达国际先进水平

中国科学院福建物构所洪茂椿院士主持的国家科技攻关计划“光功能纳米陶瓷材料研究”项目目前通过成果鉴定。该项目整体达到了国际先进水平，部分材料的发光量子效率和发光寿命等性能指标达到国际领先水平。