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81.
82.
测试温度对nc—Si:H膜光致发光特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用常规等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10-250K温度范围内进行了变温测量,实验结果指出,随着测试温度升高,PL峰值能量发生了54meV的红移,PL强度在T〉80K后呈指数下降趋势,PL峰值能量的红移起因于带隙收缩,而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。 相似文献
83.
采用非平衡分子动力学方法(NEMD)研究了室温(300 K)下厚度为2~32 nm的单晶硅薄膜的沿膜平面方向的热导率,并使用Debye-Einstein模型对模拟温度进行了量子修正。模拟表明薄膜面向热导率小于相应的大体积值,并随膜厚度减小而减小,具有显著的尺寸效应。在模拟范围内膜面向热导率略大于其法向热导率;与声子气动力论的定性结果一致。晶体的表面弛豫和表面重构现象导致了MD模拟中体系总内能的升高。 相似文献
84.
85.
在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。 相似文献
86.
低压铸造充型动力学的高速摄影观察 总被引:3,自引:1,他引:2
利用高速摄影和影片运动分析技术,在透明模型上对低压铸造充型过程进行了实时观察和运动分析。结果表明:低压铸造充型的动力学特征可用二阶非线性微分方程描述。 相似文献
87.