原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律席珍强

采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律. 红外扫描仪观察发现：只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团，表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃. 同时，红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示，快冷（30K/s）时，形成高密度的小铜沉淀团；而慢冷（0.3K/s）导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成. 实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度. 最后，讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理.     

紫外激光在精细加工中的应用研究

论述了紫外激光加工原理,分析了其优缺点.并使用紫外脉冲激光对LTCC生瓷片、蓝宝石晶圆片、太阳能单晶硅片等材料进行了初步的激光划切工艺实验,得到了对这些不同材料加工的一些工艺参数.     

全球光伏设备行业2010年回顾及2011年展望

亚洲电池厂商对光伏设备不断增加的需求,在2011年将会是行业营收增长的主要驱动力,预测将会从2010的107亿美元增加至117亿美元。据太阳能咨询公司Solarbuzz光伏设备最新年度报导指出,由于中国单晶硅一线厂商的结盟以及对已有的新兴薄膜技术的大力     

转换效率高达41.1%的多层太阳能电池

<正>据有关媒体报道,德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的科研人员研发出了转换效率高达41.1%,几乎是传统硅太阳能电池两倍的太阳能电池。这种电池采用了太阳能电池堆叠技术,使整个太阳光谱都可用于能源生产。     

铸造环绕多声道的核心地带 18套家庭影院音箱系统构建攻略

在CIT2014中国影音集成科技展临近之际,编辑部众编辑在琢磨究竟在UHD超高清显示技术与客厅影院设计之后,还有什么影音热点值得我们去深入挖掘。通过对CIT2014大展即将登场的亮点产品进行分析后,惊喜地发现原来今年在家庭影院音箱方面的新产品不在少数。     

纳米陶瓷颗粒增强金属基复合材料的制备技术

介绍了纳米陶瓷颗粒增强金属基复合材料的常用制备技术。对固相烧结法和液态铸造法等工艺方法的机理、特点和现阶段开发程度,以及由这些制备工艺所开发的新材料的优异的微观组织和力学性能进行了全面分析,综合评价了各种工艺的优缺点。由于降低了基体金属对陶瓷颗粒的润湿性要求,高能球磨法成为国内外制备该种材料的主要方法之一。与高能球磨法相比,超声辅助液相铸造技术由于能使纳米颗粒在金属熔体中有良好的润湿性并均匀分布,且可以近净成型、制造成本低,因此也备受瞩目。最后,指出了现有制备方法中存在的问题及其进一步的发展趋势。     

紫外激光刻蚀单晶硅片工艺的试验研究

紫外激光刻蚀单晶硅片时,热传导作用和等离子热效应等多种作用机理共同决定刻蚀效果,热传导作用导致材料的熔化和气化,等离子体热效应导致材料破碎和抛出.从理论上分析各种作用机理中相关工艺参数的作用,并针对不同的工艺参数进行测试,综合分析各个工艺参数在刻蚀过程中对刻蚀质量的影响,在此基础上,为寻找最优刻蚀工艺参数和最佳刻蚀效果...     

空间结构增强铜基复合材料的摩擦磨损特征

为实现铜基复合材料性能的有效调控,采用激光选区熔化成形制备了单元尺寸分别为5.00、3.75、2.75、1.75和0.75 mm的18Ni300空间结构增强体,然后在挤压铸造条件获得了具有不同增强体分布的18Ni300空间结构增强铜基复合材料. 研究了复合材料的微观组织、硬度、摩擦磨损性能和磨损表面形貌. 结果表明:随着空间结构单元尺寸的减小,复合材料增强体体积分数不断增加,硬度和耐磨性提高. 结构单元尺寸为0.75 mm时,复合材料增强体体积分数为13.35%,硬度达到HBW120,为铜基体硬度的1.71倍;载荷40 N、线速度0.75 m/s、磨损时间25 min 条件下的体积磨损量为35.4 mm3,比铜基体磨损量降低58%. 由于增强体的作用,复合材料的磨损机制由纯铜的黏着磨损转变为磨粒磨损.      

长脉冲激光辐照单晶硅的热损伤

为探究毫秒脉冲激光辐照单晶硅的热损伤规律和机理,利用高精度点温仪和光谱反演系统对毫秒脉冲激光辐照单晶硅的温度进行测量。分析温度演化过程,研究毫秒脉冲激光对单晶硅热损伤全过程的温度状态和对应的损伤结构形态。研究表明:脉冲宽度固定时,激光诱导的单晶硅的峰值温度随能量密度的增加而增加;当脉冲宽度在1.5~3.0 ms之间时,温度随脉冲宽度的增加而降减小。温度上升曲线在熔点(1 687 K)附近时出现拐点,反射系数由0.33增加为0.72。在气化和凝固阶段,出现气化和固化平台期。单晶硅热致解理损伤先于热致熔蚀损伤,在低能量密度激光作用条件下,应力损伤占主导地位,而在大能量密度条件下,热损伤效应占主导地位。损伤深度与能量密度成正比,随脉冲个数增加迅速增加。     

单晶硅晶格间距的测量技术进展及应用

单晶硅晶格间距是许多重要物理常数测量的基础。本文介绍了硅晶格间距测量技术的发展历程,包括X射线干涉仪直接测量和晶格比较仪间接测量两种方法,以及影响测量结果不确定度的关键因素。得益于晶格间距测量的进展,在纳米尺度,硅晶格间距被国际计量局(BIPM)批准成为新的米定义复现形式。最后介绍了硅晶格在计量学中的应用,以及基于硅晶格实现纳米几何量测量的溯源体系的研究趋势。