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近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3~6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米 相似文献
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含纳米粒子溶液对单晶硅表面的冲蚀磨损损伤实验研究 总被引:2,自引:3,他引:2
利用高分辨透射电子显微镜和原子力显微镜观察了含纳米颗粒溶液冲蚀硅片表面损伤行为,考察了纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤.结果表明:冲蚀30 s后,在高分辨透射电子显微镜下可见硅片表面呈现方向性损伤,并可观察到大量非均匀的晶格缺陷;当冲蚀10 min时,硅片表面出现微观划痕和凹坑,在划痕一端可见原子堆积,亚表面可观察到镶嵌晶粒的非晶损伤层;继续延长冲蚀时间将加剧其表面损伤. 相似文献
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压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察 总被引:1,自引:0,他引:1
晶体硅在高压下会发生相变[1]。显微压痕实验能够产生极大的压强(GPa级),有可能诱发硅的相变[2]。Clarke等人首次利用透射电子显微镜(TEM)在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像(plan-view)[3],指出压痕中心已经发生... 相似文献
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