单晶硅空间光调制器

详细介绍快速响应单晶硅空间光调制器件的结构、工作机理、制作工艺、性能参数。空间光调制器的极限分辨率为４０ｔｐ／ｍｍ，口径为４０ｍｍ，在９３０ｍｍ写入光灵敏度为２０μＷ／ｃｍ＾２，响应时间为１５ｍｓ，给出该器件的应用实例。     

高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究

采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χ_c随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH₂ 关键词：     

单晶硅材料补偿度的确定

本文叙述了ｐ型及ｎ型硅材料杂质补偿度确定的各种方法，并评述了各种方法的实验条件及其优缺点，还指出了目前我国各单位采取的简单而较可靠的方法。     

锗掺杂磁控直拉单晶硅太阳电池

介绍了锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的10Ω·cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR(back surface field and reflection)和BSR(back surface reflection)太阳电池的制备和电性能.BSR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率最高为12.3%.BSFR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率达到15%.利用1MeV的高能电子对制备的锗掺杂单晶硅太阳电池进行了辐照实验.作为对比,对全部常规10Ω·cm的CZ单晶硅太阳电池也进行了实验.结果表明,锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的磁控直拉单晶硅太阳电池的电性能和抗辐照性能与常规直拉硅太阳电池基本相同.利用锗掺杂磁控直拉单晶硅片机械强度较高的优点,可以降低太阳电池生产过程破损率.     

锗掺杂磁控直拉单晶硅太阳电池

介绍了锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的10Ω·cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR(back surface field and reflection)和BSR(back surface reflection)太阳电池的制备和电性能.BSR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率最高为12.3%.BSFR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率达到15%.利用1MeV的高能电子对制备的锗掺杂单晶硅太阳电池进行了辐照实验.作为对比,对全部常规10Ω·cm的CZ单晶硅太阳电池也进行了实验.结果表明,锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的磁控直拉单晶硅太阳电池的电性能和抗辐照性能与常规直拉硅太阳电池基本相同.利用锗掺杂磁控直拉单晶硅片机械强度较高的优点,可以降低太阳电池生产过程破损率.     

近非平衡液相线铸造镁稀土合金的部分重熔研究

在非平衡条件下液相线会偏离其平衡状态。一般情况下，在较高的冷却速率下液相线低于平衡液相线温度。所谓的近非平衡液相线铸造（NNLC）是合金在非平衡液相线温度附近所进行的铸造工艺。对用NNLC方法获得的以ZK60为基体的镁合金触变组织进行部分重熔的研究表明，ZK60-2Ca合金的初生固相颗粒在部分重熔过程中显著球化，不过，在延长保温时间时则发生粗化及多边形化。在进一步添加Y，MM，Nd或Ag等元素的合金触变组织重熔中有更好的细化和球化效果，但效果因合金元素种类不同而有差异。ZK60-2Ca-1Y合金的重熔结构比其基体合金更为细小，添加MM，特别是Ag的合金有很显著的细化效果，但Nd的影响不大。在保温时间较短时，重熔温度波动对重熔组织的影响较小，但在长时间保温时组织对温度很敏感。对含Ag合金在600℃重熔10min的可以获得优良的触变结构。     

富镧稀土对消失模铸造B319合金组织的影响

利用等离子发射光谱仪，差分扫描量热仪（DSC），电镜及金相分析等手段，研究了RE对消失模铸造B319铝合金组织的影响。结果表明，在消失模铸造条件下，0．15％RE可使B319铝合金的硅相得到较好的变质效果。但当RE＞0．2％时，会出现富稀土的粗大块状金属间化合物La3Al2Si2，而对机械性能产生不利影响。当Fe/Mn=1.2时，消失模铸造组织中存在中国文字状的α－Fe和针状β-Fe铁相以及Al2Cu相。AlCu相可以离异共晶的形式析出，β-Fe及Si相均可以作为Al2Cu相的形核基底。而在金属型铸造组织中，铁相则完全以铁状的β-Fe形式存在。研究还表明，0．02％Sr变质使B319合金共晶转变温度下降了7℃。而RE的加入会使合金的共晶温度升高，采用0．2％RE对B319合金进行变质处理，其共晶温度从570．0℃升高到了572．0℃。     

薄壁铸造和退火工艺对LPCN3.55Co0.75Mn0.4Al0.3贮氢合金电化学性能的影响

研究了不同铸锭厚度(1～10mm)对薄壁铸造的铸态和退火态LPCN3.55Co0.75Mn0.4Al0.3-一种新型贮氢合金电化学性能的影响。结果发现：铸态LPCNi3．55Co0.75Mn0.4Al0.3合金的0．2C放电容量随着合金锭厚度的增加有增大的趋势。10mm厚铸态合金的活化性能优于其它厚度的合金，且在1C的放电容量和循环稳定性比在其它厚度高。主要原因应归结为该厚度合金具有更大的晶胞体积和更小的晶格应力。退火态3mm LPCNi3.55Co0.75Mn0.4Al0.3合金的综合电化学性能比铸态更优异，6mm合金的循环稳定性和3～6mm合金的活化性能得到改善。主要原因应归结为晶格应力的极大释放以及Mn等元素偏析的改善。     

光电直读光谱法测定铸造铝合金中微量钙和钠北大核心CSCD

采用光电直读光谱法测定铸造铝合金中微量钙和钠,并对其最佳条件进行试验。做到以下几点可获得满意的分析结果:(1)用积分描迹调整光谱仪器的狭缝位置,保证了最大强度的光通过;(2)严格按照GB/T 17432-2012的规定取样,确保样品的分析面无夹杂、裂纹、气孔、油污、粉尘及氧化物等;(3)样品表面必须光滑、无污染;(4)所用氩气应保证其纯度和流量;(5)采用与被分析样品中钙、钠含量非常接近的铝合金标准物质做类型校准。钙、钠的检出限(3s)依次为0.000 01%和0.000 02%。方法分析了5块铝合金标准物质,测得钙、钠的含量与其认定值一致;另取3块已知样品各重复测定11次,测定值的相对标准偏差为1.6%～3.9%。