n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响

叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm²,填充因子为80.69%。     

Pt4(OCOCH3)4(OCOCH=CH2)4的合成及其在n型单晶硅表面的嫁接与组装

利用羧基取代法, 通过化合物Pt4(OCOCH3)8与过量的丙烯酸作用合成了配合物Pt4(OCOCH3)4(OCOCH=CH2)4. 晶体结构研究结果表明, 化合物Pt4(OCOCH3)8中的4个乙羧基能够被烯丙羧基有规律地选择性替换, 从而形成一个含双键的对称铂配合物. 利用Si—H与不饱和键的加成性质将该配合物嫁接到氢化n型单晶硅(111)表面, 发现配合物Pt4(OCOCH3)4(OCOCH=CH2)4除了能嫁接到单晶硅表面外, 还能在n型单晶硅表面进行自组装而形成许多岛状纳米粒子, 这种组装体系具有良好的热稳定性和一定的抗酸性.     

稀土纳米薄膜摩擦学性能研究

用自组装方法可以在单晶硅表面获得稀土纳米薄膜，得到的薄膜通过XPS，偏振光椭圆率测量仪、角接触仪、AFM等手段表征。通过滑动摩擦实验，可以测试稀土薄膜的界面粘附力。通过DF-PM型复复摩擦磨损试验机，考察稀土纳米薄膜的摩擦磨损特性。实验结果表明，稀土纳米薄膜具有低摩擦系数和高抗磨损特性。稀土纳米薄膜具有纳米级尺度、强界面结合力和低表面能，使其成为MEMS装置固体润滑的理想选择。     

微量元素秘在稀土镁球铁中的作用

设计并试用了含微量元素机和不含铋的稀土镁钡钙多元球化剂BBC和BC。试验结果表明,二种球化剂能促进薄壁球铁件形核,增加铸件铸态铁素体量,减少以至消除铸态碳化物,特别是含铋的BBC效果更显著。采用扫描电镜、能谱和波谱分析,研究认为铋在稀土镁球铁中的作用是“吸附复合作用”和与稀土元素间的“化合复合作用”的综合。     

Impact of Transition-Metal Contamination on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Under Rapid Thermal Processing

研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.     

Effect of Nickel Contamination on Formation of Denuded Zone in Czochralski Silicon

研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.     

拓展广阔分销市场铸造特色竞争优势

"术业有专攻",明确市场细分是企业发展的核心竞争力,因此作为电子产业半壁江山支撑者的分销渠道,成为推动产业高速发展不可或缺的一部分.国内的分销市场已近豆蔻年华,与整个产业一起成长起来的分销市场已经呈现出深层次的细分,授权分销商、独立分销商和目录分销商相继出现,并涌现出一批杰出的代表,共同描绘着电子产业链在国内的繁荣景象.     

太阳能电池制绒设备研究的几点心得

着重对太阳能电池制绒工艺的研究进行了阐述,并以研究所得的工艺数据为基础,对制绒设备的关键部件——工艺槽体的设计进行了详细说明,保证所研发的最终设备满足了大规模生产线对制绒设备的需要。     

重掺砷单晶硅制备中砷的蒸发速率常数的测定

在采用柴式(Czochralski, CZ)法生长重掺砷(As)单晶硅的过程中,掺杂剂——As具有较强的蒸发性。 为了有效抑制As蒸发对单晶硅电阻率的影响,需要测定As的蒸发速率常数。通过实验测量 给出了晶体样块中As浓度随蒸发时间的变化曲线,然后对实验曲线进行了线性回归分析,得到了 重掺As单晶硅制备中As的蒸发速率常数(1.43×10-4 cm/s)。该结果在实际应用中被验证是正确而有 效的,这对精确控制重掺As单晶硅的电阻率有着重要意义。     

用两次键合技术制备均匀单晶硅膜

硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜,硅膜表面质量优良,平整度在±0.15μm的范围内。