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1.
相信用过诺基亚手机的朋友,对于S40系统一定不会陌生。如今S40已经发展到第3版,漂亮的界面、超简单的操作,相对于智能手机,大多数人更容易上手。然而遗憾的是,在推出采用S40第2版的直板王者6230i之后,采用S40第3版的机型中,6270、6111都是滑盖机,7370则为旋盖设计,对于直板的FANS来说,最值得期待的当然就是6233了! 相似文献
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6.
形成SOI结构的ELO技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
7.
采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明,LSMO薄膜属于正交晶体结构,薄膜取向与膜厚度 有关,当膜厚度为450nm或680nm时,主要取向〈200〉,而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 :根据离子对相互作用能和谐振子模型,得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式,6 00cm-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关;块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(TMI)存在较大差别,薄膜转变温度显著低于块体,并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化,引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因.
关键词:
单晶硅
晶格常数
金属—绝缘体转变温度
应力诱导 相似文献
8.
从分析有源矩阵液晶显示器的发展形势出发,着重介绍了薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器的优势和和制作过程,指出这种显示器目前有投影显示和小尺寸显示方面有较好的市场前景。 相似文献
9.
稀土复合变质对新型铸造热锻模具钢组织与性能的影响 总被引:8,自引:1,他引:8
研究了稀土复合变质对新型铸造热锻模具钢(CHD钢)组织与性能的组织。结果表明,稀土复合变质能细化晶粒,并且随着稀土量的增加。细化效果明显;加入适量的稀土复合变质后,夹杂物数量明显减少,夹杂物趋于球化并均匀地分布在钢中,形态和分布得以了改善,向钢中加入稀土进行复合变质,能促进贝氏体、奥氏体和位错亚结构的形成,细化马氏体板条。当残留稀土含量为0.02%时,CHD钢的硬度、强度变化不大,断裂韧性(KIC)和疲劳裂纹扩展门槛值(△Kth)有所提高,冲击韧性、延伸率、断面收缩率提高了近一倍,抗热疲劳性能也最好。 相似文献
10.
在含有变元素锶或钠的铸造Al-Si-Cu-Mg合金中添加微量镧,发现合金组织中同时存在在富镧和锶的化合物,而镧和钠不存在这种作用,在富镧的化合物中没有钠的富集,因此镧对锶和钠变质存在不同程度的影响。 相似文献