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Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1
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ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
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本文提出了强扩散准则,强雪崩效应以及扩散效应的逼近优势等相关概念,给出了差分均匀性与强k阶扩散准则之间的相互关系,利用给出的设计准则改进了Rijndael密码的S盒。 相似文献
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Specific Angular Momentum Distribution of Disc Galaxies Formed in Preheated Intergalactic Media
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LUOZhi-Jian FULi-Ping SHUCheng-Gang 《中国物理快报》2004,21(7):1409-1412
Assuming that baryons within a galactic halo have the same specific angular momentum as the dark matter where they locate initially and a disc forms due to the gas cooling and condensation with the conservation of angular momentum, we investigate the angular momentum distribution in a resulting galactic disc under the new preheated galaxy formation model suggested by Mo and Mao (Mon. Not. R. Astron. Soc. 333 (2002) 768).Compared with the observational results, it can be concluded that the preheated galaxy formation model can match current observations. This model can be a good approach to solve the problems of both the angular momentum catastrophe and the mismatch of angularomomentum profiles in current disc galaxy formation models. 相似文献
24.
该文讨论了一类非线性抛物型方程组解的性质,利用微分方程上、下解方法证明了初值适当小时,方程存在整体解;初值适当大时,解在有限时间上爆破,推广了文献[1]的结果. 相似文献
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特征线性与semi-Lagrangian方法都是处理流体方程时间离散的两种有效的方法.它们比经典的半隐格式,如Backward-Euler/Adams-Bashforth方法有更好的稳定性.本提出一种基于高阶空间离散的特征线法,通过稳定性,精度和计算复杂性与semi-Lagrangian方法进行比较,分析了高阶特征线法的有效性和适用性,并从数值试验上对分析结果进行验证. 相似文献
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30.
A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot. 相似文献