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MBE生长的InAs薄膜Hall器件

利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件,具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓＨａｌｌ器件的１．５倍）,不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中,具有广阔的应用前景     

类铟钡离子辐射光谱的相对论识别

用全相对论多组态自洽场方法，计算了高离化类铟钡离子的1s、2s、2p_、2p、3s、3p_、3p、3d_、3d、4s、4p_、4p、4d_、4d、4f_、4f、5s、5p_、5p、5d_、5d、5f_、5f、5g_、5g、6s、6p_、6p、6d_、6d、6f_、6f、6g_、6g、7s、7p_、7p、7d_、7d、7f_、7f、7g_、7g轨道的3090个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数。波长的计算值和实验值符合得较好。另外还发现了一些辐射寿命较长的亚稳态能级。     

铟泰扩大印第安纳和肯塔基州销售网络

铟泰公司指定DMP Products有限责任公司为其最新销售渠道合作伙伴。DMP Products主要负责在印第安纳和肯塔基州销售铟泰公司的PCB装配产品，包括焊膏、焊芯、波峰焊助焊剂、返工助焊剂、焊料预成型、锡球、钎焊带和箔。     

用于防静电封装和涂层的铟纳米粒子

American Elements推出了一种新的nm级In粉末I-Mite TM。这种材料可进行大规模的批量生产，用于制造新研发的透明防静电涂层和表面。I-Mite集防静电、透明性和抗划伤性为一体，是在电子封装、平板显示、洁净室表面及其他应用中的下一代理想材料。此外，I-Mite TM铟纳米粒子具有电导性。目前正在研究该特性以用于未来光（太阳能电池）设计及医学与生物科学成像技术。     

宽波段红外隐形材料研究

现代侦察和制导技术的发展，要求隐形材料应具有可见、红外和微波等多波段的对抗能力，本文从电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发，讨论了同时实现热红外和雷达微波隐身的可能途径，表明应用掺杂的Ｉｎ２Ｏ３，有可能实现红外和微波隐身的一体化。     

强磁场中晶体生长研究

设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长,在强磁场和无磁场下,测量了掺碲InSb熔体及其上方的温度分布;生长了低GaSh组分的InGaSb和掺碲InSb晶体.实验表明,8.00T的强磁场能改善InGaSb混晶的质最和提高InSb晶体中Te杂质轴向分布的均匀性.分析认为,这些结果是强磁场提高流体的稳定性和降低对流的速度所致. 关键词：     

Sn—Zn—In软钎料合金初步研究

对Ｓｎ－Ｚｎ－Ｉｎ钎料合金的性能进行了研究，钎料铺展性和剪切强度试验结果表明，央Ｓｎ－９Ｚｎ－Ｉｎ软钎料合金中，随Ｉｎ含量增加，铺展面积增大，钎焊接头剪切强度降低。钎粒熔点和接头组织等性能的综合分析结果表明Ｓｎ－９Ｚｎ－１０Ｉｎ的性能已接近或超过传统的Ｓｎ－Ｐｂ共晶。