LP—MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析

本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温（700℃左右）下生长InGaAlP外延层时,抑制In组分脱吸附的“动压力模型”,解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响。     

高N2气流下GaAs（001）上用MBE法生长InN

在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内变化.用X-射线衍射(XRD)和反射高能电子衍射(RHEED)法对InN膜进行了表征.发现在生长的初始阶段,所生长的InN属立方相,但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变.X-射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其c-轴主要沿GaAs的〈111〉B方向取向.     

二甲基[2-(2-苯并噁唑)苯酚氧基]镓、铟化合物的合成及表征

通过2-(2-苯并噁唑)-4-甲氧基苯酚、2-(2-苯并噁唑)苯酚与三甲基镓、三甲基铟反应,合成了四个新的金属有机化合物,并用元素分析、质子核磁共振谱、质谱及红外光谱等手段对化合物进行了结构表征。对其中一个化合物二甲基[2-(2-苯并噁唑)-4-甲氧基苯酚氧基]镓进行了X-衍射单晶分子结构测定,该化合物属于三斜晶系,空间群为P1。晶体学常数:a=7.4992(2)Å,b=10.199(2)Å,c=10.905(2)Å,α=110.18(3)°,β=102.23(3)°,γ=9     

Efficient Phosphorescent Organic Light Emitting Diodes Using FITCNQ as the Indium-Tin-Oxide Modification Layer

A phosphorescent organic light emitting diode by using tetrafluorotetracyanoquinodimethane （F4 TCNQ） as the indium-tin-oxide modification layer and 4,4＇-bis（earbazol-9-yl）biphenyl （CBP） as the hole transporting layer is reported. CBP doped with a green phosphorescent dopant, tris（2-（p-tolyl）pyridine） iridium（III） （Ir（mppy）3） is used as the emission layer in this device, and the maximum current efficiency of 31.3 cd/A is achieved. Further- more, low efficiency roll-off of 10.4% is observed with device luminance increasing from 100 cd/m2 （29. 7 cd/A） to lO000 cd/m2 （26.5 cd/A）. It is demonstrated that a charge-generation area is formed at F4 TCNQ/CBP interface, which will benefit hole injection into the hole transporting layer. Moreover, use of the CBP hole transporting layer will benefit the low efficiency roll-off by broadening triplet exciton formation, as well as by avoiding accumulation of unbalanced carrier at the hole transporting layer/emission layer interface.     

电力电子器件及其应用的现状和发展

正70年代以来,鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加,世界上许多国家掀起了开发利用太阳能的热潮。2006年全球光伏电池的实际产量达到了2.6GW,截至2011年底,全球累计光伏装机量己达到67.4GW,成为仅次于生物质能和风电的第三大可再生能源。传统欧洲市场仍然是201 1年全球光伏发电装机市场增长的主要动力:2011年欧洲地区21GW的光伏发电装机量占到了全球总装机的约75%,其中德国和意大利光伏装机为16.5GW,占全球光伏装机量的     

铟凸点回流时的异常现象的研究

利用湿法回流缩球的技术,使铟柱回流成铟球。在研究中心距为30?m、面阵为320×256的读出电路在回流缩球的过程中遇到了3种异常现象,即铟球体积异常、铟球桥接和铟球偏离中心位置的现象。详细地介绍了这3种现象产生的过程及背景,分析了产生这3种现象的机理以及对器件性能和倒装互连的影响,并提出了相应的解决措施。     

火焰原子吸收光谱法测定铟冶炼窑渣中铟

铟是一种稀有金属,在自然界中含量极少.铟金属主要用于半导体和无线电技术,铟大部分从冶炼铅、锌等废渣中回收.目前我国铟的大规模生产主要是从冶炼锌的弃渣中回收,其工艺流程为干燥、挥发、浸出、置换、电解等,其中铟的挥发工艺是关键.     

硝酸铟诱导的电沉积氧化锌纳米柱光学性质裁剪

为在新型太阳能电池等光电器件中应用ZnO纳米结构,需要对ZnO纳米结构阵列的几何形貌及光电物理性质进行裁剪与操控。采用电化学沉积路线制备ZnO纳米柱阵列,In(NO₃)₃与NH₄NO₃两种盐类被溶入在传统Zn(NO₃)₂主电解液中。对ZnO纳米柱阵列进行扫描电子显微镜、透射反射光谱、光致发光光谱测试,分析其形貌与光电物理性质。随着引入的In(NO₃)₃浓度的增加,ZnO纳米柱阵列的平均直径随之由57 nm减小至30 nm。同时ZnO纳米柱的阵列密度也可降低,进而增大纳米柱间距至41 nm。由于新的盐类的引入,ZnO纳米柱的光学带隙由3.46 eV蓝移至3.55 eV。随着电解液中In(NO₃)₃的增加,ZnO纳米柱的斯托克斯位移由198 meV减小至154 meV,ZnO纳米柱中的非辐射复合可以得到一定程度的抑制。通过在主电解液中引入In(NO₃)...     

基于铅铟合金线的SFQ多芯片超导互连方法研究

用基于铅铟合金线的引线键合(WB)工艺对单磁通量子(SFQ)多芯片的超导互连方法进行了研究,将铅含量75%,铟含量25%的铅铟合金线制备成WB线材,用超声楔形焊工艺成功实现SFQ芯片I/O接口焊盘的超导互连.拉力测试表明室温下铅铟合金线键合强度与同线径金线相当,优于同线径铝线;用开尔文四端法测量了铅铟合金线互连的多级超导转变温度以及线材与超导芯片之间的接触电阻,结果表明该铅铟合金线的超导转变温度为6.63 K,当温度降低至6.63 K或更低时,铅铟合金线的线阻以及线材与SFQ芯片I/O接口焊盘的接触电阻为0,实现了超导互连;并通过热冲击实验验证该WB结构具有优异的热稳定性.     

红外焦平面探测器互连中的In缩球工艺

铟缩球工艺对红外焦平面探测器的互连很有帮助.依据所做的实验叙述了铟缩球工艺的过程,论述了铟缩球工艺能提高铟柱高度,减小高度差,及减低焊接压力等优点.