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163.
MP—1溶出分析仪的联机卡尔曼滤波分辨重叠极谱波 总被引:2,自引:0,他引:2
利用PC微机的并行打印口和MP-1溶出分析仪的绘图仪端,通过接口电路实现微机对MP-1仪的数据采集,在对读入微机的极谱信号进行预处理后,用联机卡尔曼滤波方法实现了In,Cd重叠极谱波的分辨,结果表明,当In,Cd两组相对浓度比为1:16~13:1时,在本联机系统上可满意地用卡尔曼滤波法实现双组分同时测定。 相似文献
164.
近年来,研究各种杂质对碲镉汞单晶电物理性能的影响的兴趣日增。尤其在进行研究过程中已经表明,为了获得电导性,可适当地利用铟或镓这些Ⅲ族元素作为熔合杂质。这些杂质扩散相当快,能取代金属晶格中的汞或镉原子,起到施主中心的作用。本研究表明,在离子熔合和后继热处理相结合的一定条件下,铟也是呈现出受主特性。 相似文献
165.
本文论述了在InP衬底上用InP、InGaAs和/或InAlAs构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术,提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Vbe器件。用这些器件构成的分频器可工作到17GHz。 相似文献
166.
三乙基铟中杂质元素的ICP—AES测定 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了基体铟对15种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰。采用基体匹配-电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的15种杂质元素。样品分析方法检出限大部分低于1μg/g,相对标准偏差均小于2%。 相似文献
167.
Self-organized InAs quantum wires (QWRs) were fabricated on the step edges of the GaAs (331)A surface by molecular beam epitaxy. The lateral size of InAs QWRs was saturated by the terrace width (i.e., 9Ohm) while the size along the step lines increased with the increasing thicknesses of the InAs layers, up to 1100nm. The height of InAs QWRs varied from 7.9nm to 13nm. The evolution of the morphology of InAs QWRs was attributed to the diffusion .andsotropy of In adatoms. 相似文献
168.
169.
应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,本文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阶结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法. 相似文献