全文获取类型
收费全文 | 419篇 |
免费 | 89篇 |
国内免费 | 217篇 |
专业分类
化学 | 307篇 |
晶体学 | 15篇 |
综合类 | 1篇 |
物理学 | 157篇 |
无线电 | 245篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 13篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 16篇 |
2015年 | 17篇 |
2014年 | 28篇 |
2013年 | 18篇 |
2012年 | 19篇 |
2011年 | 24篇 |
2010年 | 28篇 |
2009年 | 27篇 |
2008年 | 29篇 |
2007年 | 34篇 |
2006年 | 33篇 |
2005年 | 21篇 |
2004年 | 35篇 |
2003年 | 31篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 13篇 |
2000年 | 23篇 |
1999年 | 32篇 |
1998年 | 28篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 19篇 |
1995年 | 40篇 |
1994年 | 19篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 15篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 15篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有725条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
Rapid Thermal Annealing Effects on Structural and Optical Properties of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Capped by InAIAs/InGaAs Layers
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Effects of rapid thermal annealing on the optical and structural properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots capped by the InAlAs/InGaAs combination layers are studied by photoluminescence and transmission electron microscopy. The photoluminescence measurement shows that the photoluminescence peak of the sample after 850℃ rapid thermal annealing is blue shifted with 370meV and the excitation peak intensity increases by a factor of about 2.7 after the rapid thermal annealing, which indicates that the InAs quantum dots have experienced an abnormal transformation during the annealing. The transmission electron microscopy shows that the quantum dots disappear and a new InAlGaAs single quantum well structure forms after the rapid thermal annealing treatment. The transformation mechanism is discussed. These abnormal optical properties are attributed to the structural transformation of these quantum dots into a single quantum well. 相似文献
152.
本文采用运动电极,火花激发,讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性,介绍了选用多个样品叠加摄谱对ITO膜中Sn/In浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。 相似文献
153.
154.
Interface Properties of InAs/AlSb Superlattices Characterized by Grazing Incidence X-Ray Reflectivity
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Two kinds of superlattice interfaces of InAs/AlSb superlattices are realized in an optimized interface growth process, where one is AlAs-like and the other is InSb-like grown on a relaxed AlSb buffer layer. The superlattice properties such as interface roughness and layer thickness are studied by grazing incidence x-ray reflectivity. The reflectivity curves are simulated by standard software till the simulation curves match well with the experimental curves. The simulation indicates that AlAs-like interfaces are much rougher than InSb-like interfaces. Grazing incidence x-ray reflectivity is also discussed as a powerful tool to assessing the structure properties of superlattices. 相似文献
155.
对InAs沟道InAlAs-InAs高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究,器件样品性能良好,1μm栅长InAlAs-InAs HEMT器件的最大跨导300K时达到250mS/mm。这是国内首次研制成功的InAs沟道HEMT器件。 相似文献
156.
Niu Zhichuan Ni Haiqiao Fang Zhidan Gong Zheng Zhang Shiyong Wu Donghai Sun Zheng Zhao Huan Peng Hongling Han Qin Wu Ronghan 《半导体学报》2006,27(3):482-488
报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器. 室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀. 原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1~7)E10cm-2范围之内,而面密度处于4E10cm-2时有良好的光致发光谱性能. 含有三到五层1.3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射. 相似文献
157.
Enhancement of H2 Sensing Properties of In2O3-based Gas Sensor by Chemical Modification with SiO2 总被引:2,自引:0,他引:2
ZiLiZHAN DengGaoJIANG JiaQiangXU 《中国化学快报》2004,15(12):1509-1512
The sensitivity and selectivity to H2 of a new In203-based gas sensor were improved significantly by surface chemical modification. A dense layer of SiO2 near the surface of the porous In2O3 bead was formed by chemical vapor deposition (CVD) of diethoxydimethysilane (DEMS). The dense layer functioned as a molecular sieve, thereby the diffusion of gases with large molecular diameters, except for 1-12, was effectively controlled, resulting in a prominent selectivity and high sensitivity for H2. The working mechanism of the sensor was also presented. 相似文献
158.
159.
160.
介绍了一种改善红外写入液晶光阀半导体透明导电膜导电性能的一种方法。通过对氧化铟掺铟比例的研究,经过大量科学实验,并采用X光电子能谱仪对两者的比例进行了定量分析,发现在对膜层透过特性影响不大的情况下,两者之间的质量百分比在90%比10%左右时,其膜层导电性能有明显提高,从方电阻十几kΩ/□降至730Ω/□。我们将此缺点制备的BaF2为基底,在中心波长为10.6μm,处透过率为56%,方电阻为730Ω 相似文献