二甲基[2-(2-苯并唑)苯酚氧基]镓、铟化合物的合成及表征

通过2-(2-苯并唑)-4-甲氧基苯酚、2-(2-苯并唑)苯酚与三甲基镓、三甲基铟反应,合成了四个新的金属有机化合物,并用元素分析、质子核磁共振谱、质谱及红外光谱等手段对化合物进行了结构表征.对其中一个化合物二甲基[2-(2-苯并唑)-4-甲氧基苯酚氧基]镓进行了X-衍射单晶分子结构测定,该化合物属于三斜晶系,空间群为P1.晶体学常数:a=7.4992(2),b=10.199(2),c=10.905(2),α=110.18(3)°,β=102.23(3)°,γ=94.58(3)°,V=753.7(3)3,Z=4,Dc=1.489g·cm-3,F(000)=348.分析结果表明,化合物以单体形式存在,2-苯并唑中的氮原子与镓配位,镓原子为四面体结构.     

GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究

采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和 5nm非掺杂隔离层 ,器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果表明该类器件具有良好的结特性 ,在集电极电流密度 2 80 A/cm2时其共发射极电流增益达 32 0。由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 Be扩散导致的 pn结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化。     

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.     

水热法合成纯立方铁锰矿型In2O3晶体

本文采用水热法合成了纯立方铁锰矿相In2O3晶体.以3M KOH为矿化剂,填充度35;,压力40 MPa,温度430 ℃,反应24 h,加入适量的In2O3立方铁锰矿相和金刚砂相混晶原料,经过水热反应,In2O3原料经过二次结晶全部转化成纯立方铁锰矿相,其中的金刚砂相消失,并长成几十微米多面体晶体.改用In(OH)3作前驱物,在同样的水热条件下,生成纯立方铁锰矿相,晶体成立方形,显露{002}、{020}、{200}晶面.     

Crystal Structure, Energy Band and Optical Properties of Phosphate In（PO3）3

1 INTRODUCTION stand the chemical bonding properties and electronic origins of optical transition for solid In(PO3)3, the During the past decades, many indium phosphates crystal energy band and optical response functions have been reported and researched on their conduc- are also calculated. tivity anisotropy, band structure and optical proper- ties[1, . However, to our current knowledge, the com- 2] 2 EXPERIMENTALAND pounds containing alkaline-earth metals are rarely COMPUTATIO…     

新型三维微孔砷酸铟InAsO4(H2O)2的合成及结构

首次以有机胺为结构导向剂,在水热条件下合成了微孔砷酸铟材料InAsO4-1,并对其进行了结构及性质表征。X射线单晶结构解析表明InAsO4-1分子式为InAsO4(H2O)2。晶体学数据为：Pbca,a=0.9090(4)nm,b=1.0344(4)nm,c=1.0468(4)nm,α=β=Υ=90°,V=0.9843(7)nm^3,Z=8,R=0.0480,Rw=0.1045。InAsO4-1具有三维结构,其a,b方向分别有4元环及6元环的一维孔道,结构中还含有一8^16^44^2笼,热重分析显示其结构水较稳定。     

硫缺陷型In2S3光催化剂高效分解水制氢研究

缺陷工程被认为是提高光催化剂分解水制氢性能的关键策略之一,然而有关缺陷诱导半导体材料电子结构演变并增强光生载流子传输机制尚不明确。在本研究中,我们通过简单的一步水热合成法成功构建了富含S缺陷的In2S3半导体光催化剂（VS-In2S3）,在模拟太阳光辐照下其光催化分解水产氢性能相比传统的In2S3（P-In2S3）提升了近一个数量级（达到221.18 μmol/g/h）。此外,利用自主研发的原位X射线光电子能谱（SI-XPS）结合相关密度泛函理论计算证实：S缺陷可诱导强还原性的低价态In（In(3-x)+）暴露,进而增强In位点对H2O的吸附和活化能力,因此,S缺陷型In2S3表现出显著增强的光催化析氢活性。此外,可视化观测到H2O分子在原位光照下脱质子转化为OH的分解水制氢过程。该研究为缺陷型光催化剂设计及光催化分解水反应机制和过程研究提供了一定的见解。     

一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法

提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 （V_gs > V_th, V_ds = 0 V）的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。     

铟酞菁/氧化石墨烯高分子材料的制备及非线性光限幅性能研究

通过共价键合将二氨基二枯丁苯氧基氯代铟酞菁（Pc）与羧基化氧化石墨烯（GO-COOH）键合在一起，得到二氨基二枯丁苯氧基氯代铟酞菁-氧化石墨烯键合产物（Pc-GO-COOH），并以键合产物为原料反应得到引发剂。以甲基丙烯酸甲酯（MMA）为聚合反应单体，通过原子转移自由基聚合（ATRP）反应得到四种不同分子量的聚合物样品。采用凝胶渗透色谱（GPC）对聚合物分子量分布测试，结果表明，所制备的聚合物的分子量分布范围较窄，聚合反应具有良好的可控性。采用Z-扫描方法对聚合物样品溶液进行的三阶非线性测试结果表明，所制备的聚合物具有优良的三阶非线性光学性质，且当聚合物的分子量分别为9 063和12 196时，三阶非线性极化率值分别为8.1×10-11、2.1×10-11 esu。同时对聚合物样品的光限幅性能测试结果表明，两种样品的有效激发态与基态吸收截面比分别为2.69和2.20，具有较好的光限幅能力，具有较大的应用前景。     

Rapid Thermal Annealing Effects on Structural and Optical Properties of Self-Assembled InAs／GaAs Quantum Dots Capped by InAIAs／InGaAs Layers

Effects of rapid thermal annealing on the optical and structural properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots capped by the InAlAs/InGaAs combination layers are studied by photoluminescence and transmission electron microscopy. The photoluminescence measurement shows that the photoluminescence peak of the sample after 850℃ rapid thermal annealing is blue shifted with 370meV and the excitation peak intensity increases by a factor of about 2.7 after the rapid thermal annealing, which indicates that the InAs quantum dots have experienced an abnormal transformation during the annealing. The transmission electron microscopy shows that the quantum dots disappear and a new InAlGaAs single quantum well structure forms after the rapid thermal annealing treatment. The transformation mechanism is discussed. These abnormal optical properties are attributed to the structural transformation of these quantum dots into a single quantum well.