具有AIGaAs缓变结构的InGaP／GaAs HBT性能改进分析

对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP／AlGaAs／GaAsHBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP／GaAsHBT的相应性能作了比较。结果表明：在低于30nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP／GaAsHBT相比,改进型结构的InGaP／AlGaAs／GaAsHBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏一安输出特性和高频特性。     

选择集成硅基光传感器

硅基光探测器在相当多的领域都很有用．它为用户还提供了许多选择．可以通过定制其性能来适应用户的设计 光传感器,也称为光探测器,可以生长在各种不同的衬底上：锗、砷化镓铟、磷化镓以及硅。所有这些光传感器都具有可变的光谱和时间响应及应用功能,但是这类非硅基传感器的应用空间相对较窄,而硅基传感器则广泛适用于医疗、工业及商业等领域。硅基光探测器,比如集成了RGB滤波器的TAOS TCS230色彩传感器,为用户提供了众多选项,以适应其广泛的应用领域。     

硫化物钝化对InAs纳米线光学特性的影响

针对InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的InAs纳米线。对硫化物钝化前后的InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试。实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的InAs纳米线在25 K温度下的发光效率与未钝化的InAs纳米线相比分别提高了～6倍和～7倍,此外,可以在室温下探测到硫化铵钝化的InAs纳米线的光致发光,这为未来基于InAs纳米线的中红外纳米光子器件提供了可能性。     

基于示差脉冲伏安法检测高纯铟电解液中铟离子

采用恒电位沉积法在玻碳电极上制备原位铋膜电极,利用循环伏安法、电化学交流阻抗探究玻碳电极和原位铋膜电极表面的电化学行为。对缓冲液pH、铋离子浓度、富集时间及电位等实验条件进行优化,利用示差脉冲伏安法实现高纯铟电解液中铟离子（In3+）的检测,In3+的溶出峰电流值和其浓度在0.6～2 mg/L范围呈线性关系,线性方程为c=0.061I+0.093,相关系数（R2）为0.998。在NaCl和明胶存在下,该方法仍能够有效地检测高纯铟电解液中In3+浓度。     

离子交换树脂增稳的室温磷光特性及分析应用研究

本文研究了7-碘-8-羟基喹啉-5-磺酸及8-羟基喹啉-5- 磺酸同金属离子形成的配合物在水溶液中被阴离子交换树脂吸附后所表现出来的室温磷光特性. 制作了测定Al^3^+,Ga^3^+,In^3^+,Zr^4^+和Hf^4^+等金属离子的室温磷光传感器.实验结果表明:离子交换树脂增稳的室温磷光对湿气不敏感,选择性高, 可用于发展一类新型的金属离子传感器     

铟的灵敏光度测定法

我国对微量铟的显色反应研究得较少.最常用的是碱性染料萃取光度法,但操作冗繁而且苯的毒性较大.因此寻找灵敏度高而又能在水相测定铟的新方法是很有必要的. 用苯荧光酮(2,3,7-三羟基-9-苯基-6-荧光酮,PF)作显色剂的胶束增溶分光光度法已应用于锗、钼、锡、镓等的测定,但用类似的方法测铟则尚未见报道.我们的实验证明,在pH为7.7～8.9的醋酸-氢氧化铵缓冲介质中,铟与PF及氯化十六烷基吡啶(OPC)生成玫瑰红色的三元配合物,其配合比为In(III):PF:CPC=1:2:2,表观稳定常数为8.6×10~(10),摩尔吸收系数达1.28×10~5.提出用乙酸乙酯萃取分离杂质.利用本显色反应测定微量铟,方法灵敏且稳定,准确度和精密度均较好.     

InCI分子C^1Ⅱ1态光谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣ１分子Ｃ＾１Ⅱ１→Ｘ＾１∑＾＋荧光光谱进行了分析和归属,在发射谱中探测到ｖ′＝１向下的跃迁,证明Ｃ态预离解只能发生在ｖ′＝１之上。并对Ｃ＾１Ⅱ１→Ｘ＾１∑＾＋的荧光衰变曲线进行了观测,得到ＩｎＣ１分子Ｃ＾１Ⅱ１（ｖ′＝１）态的无碰撞辐射寿命τ０≈１１ｎｓ及电子跃迁矩│Ｒｅ│＾２≈５．９５Ｄ＾２。     

一种可溶性氯铟酞菁化合物的光限幅性能研究

本工作通过无中心金属酞菁合成了可溶性金属酞菁化合物--四-α-(2-乙基丁氧基)氯铟酞菁,用纳秒脉冲激光在532 nm处检测了它在四氢呋喃溶液中的光限幅过程,发现该化合物具有非常明显的光限幅性能.在很低的入射光能量下,输出能量即开始偏离Beer定律,透过率随着入射光能量的增加迅速下降.这一效应归因于酞菁分子的反饱和吸收.通过纳秒激光闪光光解实验测定了上述化合物在四氢呋喃溶液中的瞬态吸收光谱及三线态寿命,实验结果表明在很宽的波长范围内分子具有较强的激发态吸收性能.     

高质量InAs单晶材料的制备及其性质

利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).