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Antiphase State in Passively Q-Switched Yb:YAG Microchip Lasers with a Nd,Cr:YAG as Saturable Absorber
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We experimentally investigate the antiphase dynamics phenomenon that occurs in a diode-pumped passively Q-switched Yb:YAG multimode laser with a Nd,Cr:YAG saturable absorber. Due to the effect of spatial hole burning, the multimode lasers with one, two, or three modes at different pump power are observed, and the pulses sequences display classic antiphase dynamics. 相似文献
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Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
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根据已经发表的实验数据,针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线,作为GaAlInP可见光材料设计的依据或参考。 相似文献
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对水热处理后得到的USY沸石作进一步的酸处理以及采用改进的氟硅酸盐溶液骨架富硅工艺,分别得到了经XPS剖面分析证实为铝分布均匀的超稳Y沸石HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ。IR分析表明,在酸处理过程中从USY沸石中去掉的那部分非骨架铝类与3690cm~(-1)处羟基有关,仍残留在HAY-Ⅰ沸石中的那部分非骨架铝类与3670cm~(-1)和3600cm~(-1)处羟基有关。XRD和化学分析表明HAY-Ⅰ沸石仍含有约50%的非骨架铝类,而HAY-Ⅱ沸石则基本上不含非骨架铝类,HAY-Ⅱ沸石还显示更高的结晶保留度。DTA分析表明,HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ两种沸石的热稳定性均高于USY沸石。 相似文献
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通过阳极氧化电压谱图(AVS),I-V特性和Fiske台阶电压测量,我们研究了Nb超导量子结构中AlOx-Al厚度对其特性的影响。发现AVS中AlOx-Al与Nb电极之间的界面陡度和I-V特性取决于AlOx-Al厚度,Nb|AlOx-Al|Nb结的最小最佳沉积Al层厚度为7nm。 相似文献
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采用扩散掺铝方法可以显著降低Cr-SiO薄膜电阻的温度系数,1~5kΩ/□,TCR≤±500×10(-6)℃(-1);10kΩ/□,TCR≤±100×10(-6)℃(-1)。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。 相似文献