超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层

研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.     

BC陶瓷基板附着力的研究

直接敷铜 (DBC)法陶瓷基板是新型的陶瓷 金属连接方法。附着力是这种基板的主要性能 ,结合生产实践中发现的问题 ,对影响附着力的一些主要工艺因素进行了分析研究 ,力求获得最佳的工艺状态 ,提高DBC基片的质量 ,拓宽应用领域。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

新型ESD抑制器件

安森美半导体目前推出μESD（微型ESD）双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计，适用于需要小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。     

支气管灌洗液中铜锌含量及铜／锌比值的观察

用原子吸收光谱法检测了肺癌患者灌洗液中铜、锌含量及铜／锌比值。结果表明：中央型肺癌组与肺部良性疾病组比较均有极显著差异；与周围型比较，铜、铜／锌具有显著性差异；而周围型肺癌组与良性组比较，除铜／锌比值有显著性差异，Ｃｕ、Ｚｎ均无统计学意义差异。     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

英飞凌混合动力汽车功率模块提高效率

英飞凌科技股份公司推出了两款面向混合动力汽车（HEV）传动系统的全新电子功率模块HybridPACK1和HybridPACK2。HybridPACK1功率模块用于轻度混合动力汽车，包括用于逆变器和负温度系数电阻的所有功率半导体，这样可使半导体面积降低30％。该模块是结合英飞凌领先的沟槽场终止IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术和Emcon二极管技术进行开发的。对于轻度混合逆变器应用而言，采用高性能陶瓷衬底和英飞凌增强型引线键合工艺的扁平铜基片，     

国外电子浆料最新发展概况

本文概述国外电子(导体、电阻、介质)浆料的最新发展,包括各种厚膜浆料,树脂酸盐浆料方面的新产品、新材料及新技术。