端局整体铜退建设试点方案

以电信某端局为案例,按照三网融合试点城市的建设目标对其现有铜缆进行改造,即一方面达到20M的接入带宽目标,另一方面积极退出铜缆,发挥闲置资产的效益.     

铜/铝异种材料激光焊接的研究综述

铜/铝异种金属焊接以其在减轻质量、节约资源方面的经济和技术优势,被广泛应用于能源、电子、化工等行业.然而,铜/铝异种金属接头由于母材化学成分和物理性能的显著差异,在焊接过程中易形成脆性的金属间化合物,进而产生裂纹等缺陷,降低铜/铝焊接头的力学性能.近年来,激光焊接因其独特的焊接优势被应用到铜/铝异种金属焊接上来,受到了...     

电化学方法研究(phen)2Cu2+配合物与DNA的相互作用

用电化学循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了1,10-邻菲咯啉铜配合物[（phen）2Cu^2＋]与小牛胸腺DNA（CTDNA）的相互作用。结果发现,在pH=7．4的三羟甲基胺基甲烷-盐酸缓冲溶液（Tris—HCl）中,（phen）2Cu^2＋配合物的铜离子在循环伏安图上呈现明显的准可逆氧化-还原波。当加入一定量的小牛胸腺DNA时,配合物（phen）,Cu^2＋的氧化和还原峰电流均有所下降。通过比较（phen）2Cu^2＋配合物中加入单链DNA和双链DNA后的氧化和还原峰电流下降的程度,前者比后者F降的程度小,可以得出（phen）2Cu^2＋配合物与小牛胸腺双链DNA的作用方式存在着插入式的沟槽结合模式。这个结论在本实验中由盐效应进一步得到证实。由此可知,（phen）2Cu^2＋配合物与小牛胸腺DNA形成了一种插入式的电惰性结合物,从而导致氧化还原峰电流下降。     

应变对纳米铜晶界迁移的影响

用分子动力学方法模拟了金属铜纳米双晶中晶界在应变作用下的迁移过程,晶界类型为〈11l〉倾侧∑19晶界。原子问相互作用力采用Finnis-Sinclair型EAM势计算。结果表明：平行于晶界方向的压应变可以促进晶界在相邻品界交互作用下发生迁移;垂直于晶界方向的压应变则不能对晶界迁移产生明显的效果。晶界迁移大致可分为两个阶段,前阶段晶界迁移缓慢,随晶界间距减小,晶界间交互作用加强,使晶界迁移显著加速。     

BGA封装技术研究

介绍了 BGA技术的研究现状 ,着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景。     

改善PCB镀铜均镀性

该文阐述了改善PCB镀铜均镀性的基本方法。     

基于遗传算法的NoC互连测试研究

针对互连测试难题的分析,提出一种基于遗传算法的NoC互连测试方案。该方案采用NoC重用测试机制的方法,在功耗限制条件下,选取合适的测试端口和最短测试路径,同时根据互连测试中实际存在的问题,对算法进行适当改进,建立基于遗传算法的NoC互连测试模型,旨在获取最优矢量集的同时,测试代价更小。当NoC的规模达到一定程度时,采用划分测试方法,缩短测试路径,降低测试时间,提高测试效率。以SoCIN结构电路为仿真平台,分别对不同规模的NoC进行实验仿真。实验结果表明,遗传算法能快速有效地收敛到最优解,在测试运行代数及测试生成时间上取得了良好的测试效果。     

AOR在印制电路板制造中的应用与研究

AOR技术是当前应用于电路板制造中的最新技术之一,文章主要讲述了AOR设备的工作原理、操作程序及影响该技术的因素等内容。