刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

铜布线面临生产实际挑战

铜布线工艺 在集成电路布线中,铝被广泛使用,其布线工艺较为简单。1997年9月,IBM公司率先推出一种称为CMOS7S的新技术,该技术在集成电路设计中采用铜代替铝作为外部导电材料,使电路布线的尺寸更加微小,芯片处理逻辑运算的能力更强。     

微波消解ICP-AES法同时测定花岗石中铜、镉、铬和砷

本文采用微波消解和ICP－AES法，同时测定花岗石样品的铅、镉、铬、砷4有害元素，检出限分别为0．0008、0．0007、0．0018、0．0012μg.mL^-1,回收率为93．4％－102．5％，RSD为1．3％－3．6％，该法准确、快速、简便，结果令人满意。     

ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn

用ICP－AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素，具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0．2－4．0μg/L，回收率为91．5％－103．9％，相对标准偏差为0．29％－1．5％，测定密码样与实际样品，结果令人满意。     

EasyHD实验室：致力于数字家庭接口互联

在7月18—19日召开的2007中国数字家庭产业峰会上,硅谷数模半导体正式对外宣布,已运营两年多并备受广大家电厂商好评的"HDMl互连互通测试实验     

用改进嵌入原子法计算Cu晶体的表面能

用改进嵌入原子法(MEAM)计算了Cu晶体12个晶面的表面能.结果表明，密排面(111)的表面能最小.其他晶面的表面能随其晶面与(111)晶面夹角的增加而增加，据此可以粗略地估计各晶面表面能的相对大小.给出的几何结构因子的确定方法及结果可以直接用于计算其他面心立方晶体的表面能及其他特性.在Cu,Ag等面心立方薄膜中出现(111)择优取向或织构的机理是表面能的最小化. 关键词： 改进嵌入原子法 铜 表面能 计算     

ICP-AES同时测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴

采用ICP－AES法测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴元素含量，并对样品的溶解酸和酸用量、元素分析线的选择以及共存元素间的干扰进行了研究。该法简便、快速，精密度和准确度较好。     

MCM芯片安装互连及相关技术

下填充料应具有以下性能：(1)良好的流动性，以适于窄间隙、细间距的应用；(2)适宜的固化收缩应力；(3)与芯片、基板间优良的CTE匹配性，热循环应力低，满足大尺寸芯片、薄基板的需要；(4)粘接强度高；(5)良好的抗潮湿能力；(6)遮光，适于光敏器件的应用；(7)阻燃；(8)导热率高，满足大功率、高密度、高频需要；     

二极管激光焊：下一代非接触式焊接技术

由于高功率二极管激光器近来成本不断降低，采用激光的选择性焊接在微型互连上的应用越来越广泛。