YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散

基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较. 关键词：     

PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用

研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。     

流通池—介质交换—阳极溶出伏安法同时测定铜,锑,铋

本文研究了同时测定Ｃｕ（Ⅱ）Ｓｂ（Ⅲ）Ｂｉ（Ⅲ）的方法。在盐酸溶液中对Ｃｕ（Ⅱ），Ｓｂ（Ⅲ），Ｂｉ（Ⅲ）进行预电解富集，经介质交换在选定的丙二酸－盐酸溶液中进行了差示脉冲阳极溶出伏安法（ＤＰＡＳＶ）测定，相邻溶出峰的△Ｆｐ＞８０ｍＶ，波形完好。     

注入控制铜蒸气激光方向性时间过程测量

实验研究了注入控制对铜蒸气激光非稳腔输出光束质量的影响，从输出光发散角时间分辨过程的测量结果说明注入加速被注入腔内激光发散角的减小过程。由于被注入腔内放大自发辐射的存在，为得到较好的注入控制效果，注入光的脉宽和进入被注入腔的延时必须恰当。     

光纤网络彻底终结铜材料历史

铜导线价格便宜是人所共知的,大多数计算机使用铜导线连接到网络,但是这种技术已经发展到了尽头。为了解决这个问题,英特尔正在努力改进光纤网络技术,该技术使用光脉冲而不是电信号传送信息。     

无限层铜氧化合物高温超导体研究进展

无限层结构ＡＣｕＯ２（Ａ：碱土金属）化合物是所有铜氧化物高温超导体中结构最简单，而且可能是临界超导转变温度Ｔｃ最高的化合物。它具有一些独特的物理性质。综述了无限层结构化合物的合成、结构及超导电性，并对目前存在的问题及今后研究的方向作了讨论。     

超大规模集成电路波导光互连技术的现状与前景

介绍超大规模集成电路(VLSI)波导(?)互连技术的最新进展,并预测其发展方向,以及如阿解决存在的实际问题。     

鸟嘌呤和次黄嘌呤的铜络合物的吸附作用和伏安特性研究

本文研究了鸟瞟呤(Gua)和次黄嘌呤(Hxa)铜络合物在悬汞电极(HMDE)上的吸附作用和电极反应机理,溶液中形成的1:1络合物有强烈吸附性,通过分子结构的比较,推断出Cu~(2+)与Gua和Hxa的咪唑环N(7)和外环氧O(6)原子结合形成封闭的五元环。嘌呤环的π-电子有使分子呈平面吸附的趋势,但是Gua络合物分子优先取“倾斜”定向;随着表面吸附浓度增加,Hxa络合物分子存在从“平面”向“垂直”的再定向作用。本文测定了单层吸附浓度、包含的电量和每个分子占据的面积。络合物吸附得到S形等温线,它与Frumkin吸附等温线接近。本文还列出有关吸附参数B、a、△G_A~O和θ~*的计算结果。