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12.
L-带掺铒光纤放大器的研究与进展 总被引:6,自引:1,他引:5
通过理论计算,比较了C-带掺铒光纤放大器和L-带掺铒光纤放大器的增益特性,并较为全面地阐述了近几年来国内外对L-带掺铒光纤放大器的研究情况。通过对L-带掺铒光纤放大器工作原理的分析,总结出新的设计思路与方案,提出了一些新的研究点。 相似文献
13.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
14.
Nd^3+:NaY(WO4)2晶体的激光性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报种新型的激光晶体Nd^3+:NaY(WO4)2.测定了它的结构、荧光光谱、吸收光谱。 相似文献
15.
根据已经发表的实验数据,针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线,作为GaAlInP可见光材料设计的依据或参考。 相似文献
16.
17.
对水热处理后得到的USY沸石作进一步的酸处理以及采用改进的氟硅酸盐溶液骨架富硅工艺,分别得到了经XPS剖面分析证实为铝分布均匀的超稳Y沸石HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ。IR分析表明,在酸处理过程中从USY沸石中去掉的那部分非骨架铝类与3690cm~(-1)处羟基有关,仍残留在HAY-Ⅰ沸石中的那部分非骨架铝类与3670cm~(-1)和3600cm~(-1)处羟基有关。XRD和化学分析表明HAY-Ⅰ沸石仍含有约50%的非骨架铝类,而HAY-Ⅱ沸石则基本上不含非骨架铝类,HAY-Ⅱ沸石还显示更高的结晶保留度。DTA分析表明,HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ两种沸石的热稳定性均高于USY沸石。 相似文献
18.
通过阳极氧化电压谱图(AVS),I-V特性和Fiske台阶电压测量,我们研究了Nb超导量子结构中AlOx-Al厚度对其特性的影响。发现AVS中AlOx-Al与Nb电极之间的界面陡度和I-V特性取决于AlOx-Al厚度,Nb|AlOx-Al|Nb结的最小最佳沉积Al层厚度为7nm。 相似文献
19.
采用扩散掺铝方法可以显著降低Cr-SiO薄膜电阻的温度系数,1~5kΩ/□,TCR≤±500×10(-6)℃(-1);10kΩ/□,TCR≤±100×10(-6)℃(-1)。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。 相似文献
20.