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71.
因为在其他领域的成功,步步高进入小家电时,曾让同行企业惊呼"狼来了"。但是,成立不足3年的步步高生活电器公司由于亏损严重,一只让人害怕的"狼"悄悄地变成了"羊"  相似文献   
72.
本文提出了一种基于MEMS的LED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔.分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可以提高芯片的发光效率和光束性能;讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系.最后设计了封装的工艺流程.利用该封装结构可以降低芯片的封装尺寸,提高器件的发光效率和散热特性.  相似文献   
73.
电推进技术是航天推进技术一个重要的发展方向.针对新一代通信卫星平台电推进系统的需求,对用于电推进系统的电源处理单元的4种备选配置方案做了介绍,并对每种方案的可靠性进行了计算.通过可靠性指标对比和对配置方案的分析,为方案优选提供了一些依据.  相似文献   
74.
微机在微波辐射计中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文讨论了微机在微波辐射计中应用的发展情况,并以周期定标全功率辐射计为例,叙述了其技术优势,工作原理,分析方法以及实验结果.  相似文献   
75.
21世纪空间全息术的研究方向   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了当前流行的和一些新兴的全息和散斑计量方法,分析了2l世纪微重力条件下先进全息技术研究的前景。提出了一种简单、紧凑、易于携带,且对用户十分友好的新型全息快速存取系统(RAS)。该系统设计巧妙,又需要硬件很少,某些特性使其可实现现场实时测试,而在户外明亮的环境下,在大阳照耀处获得全息、全息干涉和散斑图尚属首次。这一创新性的全息快速存取系统可以在微重力国际空间站上监视各种物理过程,研究振动和静态变形,测试微电子学及微电机械系统(MEMS)。其硬件结构十分简单,不熟悉光学技术的宇航员也能操作。系统使用了超高分辨率的卤化银介质,处理过程可以不经过任何液体浸泡,并可在现场实时完成。  相似文献   
76.
光传送网中光开关器件的进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着波分复用技术的广泛应用和光联网的发展,光开关将成为组建未来光网络的关键器件。光开关的类型有光微电机械开关、马赫-曾德干涉仪型开关、热光效应光开关、液晶光开关、喷墨气泡光开关、光栅开关和声光开关等。文章概述了这些光开关的原理,并进而介绍了光开关器件的最新进展。  相似文献   
77.
本文介绍了8 ̄14μm红外光谱辐射计的组成及工作原理,分析了红外光谱辐射计信号处理方法。本辐射计采用了低噪声自动变换增益的放大电路加温度补偿修正以及高速、高精度信号采集、数字滤波处理等先进技术进行设计,其各项指标均达到了设计要求,是一部性能优良的红外光谱辐射计量设备。  相似文献   
78.
半导体器件热特性的电学法测量与分析   总被引:22,自引:5,他引:22  
利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具.本文利用电学法测量了GaAsMESFET在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系.理论计算也表明了这一点.在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少.该方法可用来判断器件的热不均匀性.  相似文献   
79.
对射频放电产生单重态氧进行了实验研究,在不同掺杂物种、不同电极间距、不同稀释配比的情况下,研究了单重态氧相对产率的变化规律,分析了单位氧流量注入能量对单重态氧产率和电效率的影响。实验表明,NO和Hg蒸气的加入,使放电产生单重态氧的相对产率都有显著的提高。随着电极间距的缩小,可以实现高气压工作,放电总压可以达到22.6 kPa,氧气分压超过了4.0 kPa,产率方面也有大幅度提高。单位氧流量注入能量在150~400 J/mmol时,单重态氧产率比较高;电效率较高的区域对应的单位氧流量注入能量在150 J/mmol左右。  相似文献   
80.
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。  相似文献   
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