柯伐镀金盖板电化学腐蚀的剖析及其防腐措施

对半导体器件封装的气密性失效进行了研究。发现，柯伐镀金盖板遭致电化学腐蚀是导致气密性失效的主要原因。对电解液的形成和电化学腐蚀机理进行了深入的分析。提出了防止腐蚀，提高器件气密可靠性的思路和方法。     

芯片规模封装的开发动向

芯片规划规模封装尚处于开发阶段，但其发展势头良好。因此，今后的发展方向是获得公认的市场，或者是与裸芯片技术的发展而相联系的。但是，随着日益发展的ＩＣ芯片的高集成化及性能高级化，由于采用ＣＳＰ容易测定及老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便，可以认为在今后长期间内，ＣＳＰ会替代常规的封装。另外，也有可能作为ＣＯＢ及混合ＩＣ、ＭＣＭ的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行ＳＰ的改进及     

甲烷化反应过程中硫化的钼催化剂的拉曼光谱研究

本文研究了以γ-Al_2O_3、ZrO_2、CeO_2及La_2O_3为载体的硫化态钼催化剂在甲烷化反应过程中的激光拉曼光谱,发现在反应初期,催化剂表面氧硫钼结构变化较大,其活性下降也较快.在反应温度下,催化剂表面上的-S-键松动,部分硫原子升华,并发生一系列氧硫交换,形成体相MoS_2.甲烷化催化剂活性达到稳定后,则催化剂表面上的主要变化是MoS_2.晶粒不断长大.由于载体效应的影响.各个催化剂上表面结构的不同,与其达到活性稳定的时间有着直接的联系.另外,在反应过程中,催化剂表面上均无积碳形成.提出了硫化态钼催化剂在甲烷化反应过程中的表面结构变化模型.     

硫化态K—MoO3／γ—Al2O3催化剂表面物种的XPS研究

采用Ｘ光光电子能谱及曲线氦合手段对硫化态Ｋ－ＭｏＯ３／Ａｌ２Ｏ３合成醇催化剂进行了研究，分别考察负载量及硫化前不同条件预处理对催化剂表面的Ｓ、Ｍｏ组分的物种形式及各物种相对含量的影响，以及表面不同组分的相对组成。结果表明，根据其电子结合能变化，Ｓ组分可区分为ＳＯ＾２－４、ＳＯ３、Ｓ＾０、ＭｏＳ２、ＭｏＳ２－ｘ等六种存在形式不同的物种；Ｍｏ组分可分为Ｍｏ＾６＋、Ｍｏ＾５＋、ＭｏＳ＾２＋、ＭｏＳ２、Ｍ     

等滴光度法测定钼铁中的钼

根据ΔAp=KΔ（bc)p原理，采用“等滴光度法”测定钼铁中的钼，通过试验确定了最佳测定条件。该方法简便、快速，用于钼铁标准样品中钼的测定，测定结果的精密度为0.196%，与标准值之间的相对误差为0.064%（n=4)。     

电沉积富铁Fe-Ni合金箔工艺的研究

对硫酸盐-氯化物电解液中电沉积富铁Fe-Ni合金箔的工艺进行了研究,讨论了电解液组成、电流密度、温度及pH值等因素与合金箔组成之间的相互关系,得到了制备富铁合金箔的最佳镀液组成及工艺条件,并通过实验确定在阴阳极比为1:2时,镍铁联合阳极配比为1.5:1.通过扫描电镜,能谱和X-衍射对富铁Fe-Ni合金箔的形貌及结构进行分析表明合金箔晶粒细致,尺寸均匀,结构紧密,表面光滑平整,无孔洞和裂纹,晶粒结构为(111),(200),(311)及(222)织构,并表现为较强的(111)择优取向.     

一种新型的磷化钼加氢精制催化剂的研究

通过(NH4)Mo7O24·4H2O和(NH4)2HPO4水溶液沉淀、焙烧在923K用H2还原制得磷化钼催化剂.XRD检测表明,用H2还原后有纯的磷化钼生成.在3.0MPa的高压连续微反系统中测定催化剂的加氢活性.以制备的磷化钼为活性组分、γ-Al2O3为稀释剂,考察了空速、反应温度和反应时间对模型化合物的HDN、HDS和HDY性能的影响,结果表明:在合适的条件下,其脱硫脱氮率可达到90%以上.模型化合物为吡啶、噻吩和环己烯,吡啶含量以N计(为0.2%)、噻吩含量以S计(为0.3%),环己烯含量为20%,以环己烷作溶剂.     

载波钝化和钼酸盐后处理对不锈钢钝化膜性能的影响

一般认为交流电对金属的腐蚀过程具有加速作用,但我们发现,在直流电位基础上叠加适当波形、幅值和频率的交流电对不锈钢进行载波钝化,尔后再进行适当后处理可使钝化膜的稳定性提高,我们曾就不经后处理的载波钝化过程进行过探讨,本文着重探讨钼酸盐后处理对载波钝化膜表面状态和化学稳定性改善的作用机理。     

溴化十二烷基吡啶和羟胺协同增敏显色反应的研究

系统地研究了钼－羟胺（ＨＹ）－邻苯二酚紫（ＰＶ）－溴化十二烷基吡啶（ＤＰＢ）体系的四元胶束混配物协同增敏显色反应。在ｐＨ４￣５的弱酸性条件下，Ｍｏ－ＰＶ二元配合物生成速率很慢，须加热才能完成，最大吸收波长λｍａｘ＝５１０ｎｍ，表观摩尔吸光系数εｍａｘ＝６．１×１０＾４Ｌ·ｍｏｌ＾－１·ｃｍ＾－１；Ｍｏ（Ⅵ）－ＰＶ－ＤＰＢ配合物在室温下缓慢形成１：１：１的配合物，最大吸收波长为５９０ｎｍ，表观摩尔吸